效应传感器:传感器效应,sensor effect,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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效应传感器:传感器效应,sensoreffect,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典磁致伸缩效应传感器场效应生物传感器场效应(管)湿度传感器说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。您的位置:首页->词典->传感器效应1)sensoreffect传感器效应1.Thenitisusedtolearnthe

效应传感器:传感器效应,sensor effect,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典  第1张

效应传感器:传感器效应,sensor effect,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

磁致伸缩效应传感器
场效应生物传感器
场效应(管)湿度传感器

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1) sensor effect

传感器效应

1.

Then it is used to learn the input and output parameter of the effect model and terrifies the optimal combination of sensor effects.

遗传算法具有较强的全局随机搜索能力,在编码、选择、交叉、变异等方面对基本遗传算法进行改进,提高其效率和性能,并利用改进的遗传算法对传感器效应进行学习,同时确定效应模型中的输入、输出参数的最佳组合。

2.

An intelligent heuristic system for conceptual sensor design based on knowledge was proposed through taking sensor effect as knowledge and knowledge engineering as its method.

以传感器效应为知识、知识工程为方法,提出了一种基于知识的传感器概念设计智能启发系统。

2) HALL effect sensor

霍尔效应传感器
例句>>

3) effective stress transducer

有效应力传感器

1.

An effective stress transducer and its using in practice are introduced.

通过对饱和土中孔隙水压力传感器的分析,建立了传感器滤水系统动态特性的数学模型,分析了传感器动态响应及动态特性,介绍了由此设计的有效应力传感器及其实际应用情况。

4) Kerr-effect sensor

克尔效应传感器

5) Hall-effect transducer

霍耳效应传感器

6) ISFET sensor

离子敏场效应管传感器

补充资料:场效应化学传感器
  使用场效应晶体管检出气体、离子、分子、水分等化学成分的传感器。当场效应化学传感器与外界化学物质接触时,在场效应晶体管的绝缘层与溶液(或气体)的界面形成双电层。这种双电层所产生的电场能够引起半导体表面导电性能的变化,因此可用于检测化学物质的量。
  
  氢敏场效应晶体管  用具有催化活性的金属,如钯(Pd)等,作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极金属,可制成一种新型氢敏器件钯栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Pd-MOSFET,图1)。当氢气到达钯栅外表面时,由于钯的催化分解作用,氢气分解为氢原子。氢原子通过钯层扩散并吸附于Pd-SiO2界面,产生一个偶极层,同时引起Pd-MOSFET伏安曲线的位移。根据电压漂移量可以得知外界氢气浓度。只要在界面上存在少量氢原子即可引起一定的电压漂移,因而Pd-MOSFET灵敏度很高(在空气中为1ppm,在惰性气氛中为0.03ppb)。
  
  
  场效应湿敏传感器  在MOS结构中,栅氧化膜 SiO2(厚度为800埃)上附加一层多孔氧化铝(Al2O3,厚度小于1微米),其上再淀积一层透水性金电极。采用这种结构作为MOSFET的栅电极可以直接控制半导体的界面电荷,器件电容会随相对湿度而变化,因此可制成湿敏器件。另外,使用感湿性聚合物代替Al2O3也可制成MOSFET型湿敏器件。
  
  场效应烟敏传感器  在MOSFET的栅极上附上一层聚合物薄膜,当在 P型衬底与栅电极之间加上直流脉冲时,注入的正电荷渐渐扩展到聚合物薄膜上,同时在沟道上渐渐感应出负电荷。当这种扩展达到一定程度时,源与漏之间被导通。在发生火灾时,由于温度升高、烟雾或燃烧时产生的气体触及器件都会使电荷扩展速度提高,所以这种MOSFET可用于火灾报警。
  
  
  场效应离子传感器 图2为离子选择性场效应晶体管(ISFET)的测量电路。当ISFET的栅绝缘膜上有一层能对电解液中特定离子产生响应的离子感应层时,离子感应层和电解液间的界面电位大小取决于电解液中特定离子的活度。界面电位的变化通过电场效应造成 FET漏电流(Id)的变化。因此利用Id的变化就可反映界面电位的变化。 ISFET表面和电解液界面电位的产生机理是:表面有羟基存在,并随表面成分形成M─OH(如Si─OH,Al─OH,Ta─OH等),M─OH与电解液中H+离子之间存在下列离解平衡:
  
  
  
  
  M─OH 匑 M─O-+H+
  式中 M─O-和电解液一侧的水合阳离子共同组成界面双电层。M─O-的密度随电解液中H+浓度而变化。因此对应不同的H+浓度产生不同的界面电位。当采用硅铝酸盐作离子敏感层材料时,敏感膜一端造成的电场比M─O-所造成的电场弱,由于离子水合能的原因表现出对Na+、K+的选择性,可用于测Na+、K+的浓度。测量不同离子须使用不同的敏感膜。敏感膜材料有二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽、硅酸铝、硼硅酸盐、 硅铝酸钠(NAS玻璃)和含有离子交换物质的聚氯乙烯膜等。栅绝缘膜与电解液间界面电位的变化用图2的电路测量。
  
  超小型ISFET尖端栅部的硅可做成30微米宽。ISFET的突出优点为小型化,在医学上可用于研究细胞中的离子行为,这是生理学和生物物理学研究的重要题目。测量血液中的pH值,可以解决蛋白质吸附和抗血栓问题。将ISFET埋入假牙中,可连续测定齿垢中pH值,进行龋齿病研究。将pH与pNa用的ISFET做在一起,可做成多离子选择性传感器,与参比电极集成在一起可制成复合传感器。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。

参考词条

霍尔效应式转速传感器
场效应管(式)离子传感器
霍尔效应型传感器
感应传感器
传感器失效
等效传感器
传感器效果
感应器,传感器

?2011 dictall.com

效应传感器:传感器的种类及作用

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效应传感器:霍尔传感器

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霍尔传感器
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霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
中文名
霍尔传感器
外文名
Hall sensor
分 类
线型霍尔传感器
工作原理
霍尔效应
用 途
力测量
子 类
霍尔电流传感器
目录
1
原理
2
工作原理
3
霍尔效应
4
元件
5
分类
?
开关型
?
锁键型
?
线性型
6
优点
7
用途
?
位移测量
?
力测量
?
角速度测量
?
线速度测量
8
注意事项
9
应用
霍尔传感器原理
编辑
语音
由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件,当偏置电流 I 固定时,UH将完全取决于被测的磁场强度B。
霍尔效应
一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压。
霍尔传感器工作原理
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语音
磁场中有一个霍尔半导体片,恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下,I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移,使该片在CD方向上产生电位差,这就是所谓的霍尔电压。霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低,霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁感应强度。下图1所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。霍尔效应传感器
图1
1-霍尔半导体元件 2-永久磁铁 3-挡隔磁力线的叶片
霍尔传感器霍尔效应
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语音
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图2所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A,A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移,
[1]
图2
当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有⑴其中EH为霍尔电场,V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b,厚度为d,载流子浓度为n,则⑵由⑴、⑵两式可得⑶即霍尔电压VH(A、A′电极之间的电压)与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,只要测出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(高斯)和d(厘 米)可按下式计算RH(厘米3/库仑)
霍尔传感器元件
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语音
霍尔传感器
根据霍尔效应,人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。
霍尔传感器分类
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霍尔传感器分为线型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。(一)开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。开关型霍尔传感器还有一种特殊的形式,称为锁键型霍尔传感器。(二)线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。线性霍尔传感器又可分为开环式和闭环式。闭环式霍尔传感器又称零磁通霍尔传感器。线性霍尔传感器主要用于交直流电流和电压测量。
霍尔传感器开关型
如图4所示,其中Bnp为工作点“开”的磁感应强度,BRP为释放点“关”的磁感应强度。当外加的磁感应强度超过动作点Bnp时,传感器输出低电平,当磁感应强度降到动作点Bnp以下时,传感器输出电平不变,一直要降到释放点BRP时,传感器才由低电平跃变为高电平。Bnp与BRP之间的滞后使开关动作更为可靠。
霍尔传感器锁键型
如图5所示,当磁感应强度超过动作点Bnp时,传感器输出由高电平跃变为低电平,而在外磁场撤消后,其输出状态保持不变(即锁存状态),必须施加反向磁感应强度达到BRP时,才能使电平产生变化。
霍尔传感器线性型
输出电压与外加磁场强度呈线性关系,如图3所示,可见,在B1~B2的磁感应强度范围内有较好的线性度,磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。
开环式电流传感器由于通电螺线管内部存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔传感器测量出磁场,从而确定导线中电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。霍尔电流传感器工作原理如图6所示,标准圆环铁芯有一个缺口,将霍尔传感器插入缺口中,圆环上绕有线圈,当电流通过线圈时产生磁场,则霍尔传感器有信号输出。闭环式电流传感器磁平衡式电流传感器也叫霍尔闭环电流传感器,也称补偿式传感器,即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈,电流所产生的磁场进行补偿, 从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。
磁平衡式电流传感器的具体工作过程为:当主回路有一电流通过时,在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感应到霍尔器件上, 所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通,从而获得一个补偿电流Is。 这一电流再通过多匝绕组产生磁场 ,该磁场与被测电流产生的磁场正好相反,因而补偿了原来的磁场, 使霍尔器件的输出逐渐减小。当与Ip与匝数相乘 所产生的磁场相等时,Is不再增加,这时的霍尔器件起指示零磁通的作用 ,此时可以通过Is来平衡。被测电流的任何变化都会破坏这一平衡。 一旦磁场失去平衡,霍尔器件就有信号输出。经功率放大后,立即就有相应的电流流过次级绕组以对失衡的磁场进行补偿。从磁场失衡到再次平衡,所需的时间理论上不到1μs,这是一个动态平衡的过程。
霍尔传感器优点
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xrdt霍尔传感器
1、 霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压,如:直流、交流、脉冲波形等,甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的,它一般只适用于测量50Hz正弦波;2、 原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离,隔离电压可达9600Vrms;3、精度高:在工作温度区内精度优于1%,该精度适合于任何波形的测量;4、线性度好:优于0.1%;5、宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs;但是,电压传感器带宽较窄,一般在15kHz以内,6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS,带宽约700Hz。6、测量范围:霍尔传感器为系列产品,电流测量可达50KA,电压测量可达6400V。霍尔电流传感器使用时,需遵循以下注意事项:1、为了得到较好的动态特性和灵敏度,必须注意原边线圈和副边线圈的耦合,要耦合得好,最好用单根导线且导线完全填满霍尔传感器模块孔径。2、使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈,且次级电路没有接通电源|稳压器或副边开路,则其磁路被磁化,而产生剩磁,影响测量精度(故使用时要先接通电源和测量端M),发生这种情况时,要先进行退磁处理。其方法是次边电路不加电源,而在原边线圈中通一同样等级大小的交流电流并逐渐减小其值。3、霍尔传感器都具有较强的抗外磁场干扰能力,但是,为了获得较高的测量准确度,当有较强的磁场干扰时,要采取适当的措施来解决。通常方法有:调整模块方向,使外磁场对模块的影响最小;在模块上加罩一个抗磁场的金属屏蔽罩。4、测量的最佳精度是在额定值下得到的,当被测电流远低于额定值时,要获得最佳精度,原边可使用多匝,但是,需要注意导线的空间位置(参照第一条)。
霍尔传感器用途
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霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制。
霍尔传感器位移测量
两块永久磁铁同极性相对放置,将线性型霍尔传感器置于中间,其磁感应强度为零,这个点可作为位移的零点,当霍尔传感器在Z轴上作△Z位移时,传感器有一个电压输出,电压大小与位移大小成正比。
霍尔传感器力测量
如果把拉力、压力等参数变成位移,便可测出拉力及压力的大小,按这一原理可制成的力传感器。
霍尔传感器角速度测量
在非磁性材料的圆盘边上粘一块磁钢,霍尔传感器放在靠近圆盘边缘处,圆盘旋转一周,霍尔传感器就输出一个脉冲,从而可测出转数(计数器),若接入频率计,便可测出转速。
霍尔传感器线速度测量
如果把开关型霍尔传感器按预定位置有规律地布置在轨道上,当装在运动车辆上的永磁体经过它时,可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号的分布可以测出车辆的运动速度。
霍尔传感器注意事项
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霍尔传感器
(1)电流传感器必须根据被测电流的额定有效值适当选用不同的规格的产品。被测电流长时间超额,会损坏末极功放管(指磁补偿式),一般情况下,2倍的过载电流持续时间不得超过1分钟。(2)电压传感器必须按产品说明在原边串入一个限流电阻R1,以使原边得到额定电流,在一般情况下,2倍的过压持续时间不得超过1分钟。(3)电流电压传感器的最佳精度是在原边额定值条件下得到的,所以当被测电流高于电流传感器的额定值时,应选用相应大的传感器;当被测电压高于电压传感器的额定值时,应重新调整限流电阻。当被测电流低于额定值1/2以下时,为了得到最佳精度,可以使用多绕圈数的办法。(4)绝缘耐压为3KV的传感器可以长期正常工作在1KV及以下交流系统和1.5KV及以下直流系统中,6KV的传感器可以长期正常工作在2KV及以下交流系统和2.5KV及以下直流系统中,注意不要超压使用。(5)在要求得到良好动态特性的装置上使用时,最好用单根铜铝母排并与孔径吻合,以大代小或多绕圈数,均会影响动态特性。
霍尔传感器
(6)在大电流直流系统中使用时,因某种原因造成工作电源开路或故障,则铁心产生较大剩磁,是值得注意的。剩磁影响精度。退磁的方法是不加工作电源,在原边通一交流并逐渐减小其值。(7)传感器抗外磁场能力为:距离传感器5~10cm一个超过传感器原边电流值2倍的电流,所产生的磁场干扰可以抵抗。三相大电流布线时,相间距离应大于5~10cm。(8)为了使传感器工作在最佳测量状态,应使用图1-10介绍的简易典型稳压电源。(9)传感器的磁饱和点和电路饱和点,使其有很强的过载能力,但过载能力是有时间限制的,试验过载能力时,2倍以上的过载电流不得超过1分钟。
变频功率传感器(4张)
(10)原边电流母线温度不得超过85℃,这是ABS工程塑料的特性决定的,用户有特殊要求,可选高温塑料做外壳。霍尔电压传感器和霍尔电流传感器主要适用于工业控制领域的电压和电流测量。由于传感器一般不提供角差指标,对于需要准确测量交流电功率的场合,应对其角差指标进行验证,这一点需特别注意。工频电量测量可用互感器替代,变频电量测量可用电压、电流组合式的变频功率传感器替代。
霍尔传感器应用
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霍尔传感器技术应用于汽车工业霍尔传感器技术在汽车工业中有着广泛的应用,包括动力、车身控制、牵引力控制以及防抱死制动系统。为了满足不同系统的需要,霍尔传感器有开关式、模拟式和数字式传感器三种形式。霍尔传感器可以采用金属和半导体等制成,效应质量的改变取决于导体的材料,材料会直接影响流过传感器的正离子和电子。制造霍尔元件时,汽车工业通常使用三种半导体材料,即砷化镓、锑化铟以及砷化铟。最常用的半导体材料当属砷化铟。霍尔传感器的形式决定了放大电路的不同,其输出要适应所控制的装置。这个输出可能是模拟式,如加速位置传感器或节气门位置传感器,也可能是数字式。如曲轴或凸轮轴位置传感器。当霍尔元件用于模拟式传感器时,这个传感器可以用于空调系统中的温度表或动力控制系统中的节气门位置传感器。霍尔元件与微分放大器连接,放大器与NPN晶体管连接。磁铁固定在旋转轴上,轴在旋转时,霍尔元件上的磁场加强。其产生的霍尔电压与磁场强度成比例。当霍尔元件用于数字信号时,例如曲轴位置传感器、凸轮轴位置传感器或车速传感器,必须首先改变电路。霍尔元件与微分放大器连接,微分放大器与施密特触发器连接。在这种配置中。传感器输出一个开或关的信号。在多数汽车电路中,霍尔传感器是电流吸收器或者使信号电路接地。要完成这项工作,需要一个NPN晶体管与施密特触发器的输出连接。磁场穿过霍尔元件,一个触发器轮上的叶片在磁场和霍尔元件之间通过。霍尔传感器应用于出租车计价器霍尔传感器在出租车计价器上的应用:通过安装在车轮上的霍尔传感器A44E检测到的信号,送到单片机,经处理计算,送给显示单元,这样便完成了里程计算。检测原理,P3.2口作为信号的输入端,内部采用外部中断0,车轮每转一圈(设车轮的周长是1 m),霍尔开关就检测并输出信号,引起单片机的中断,对脉冲计数,当计数达到1 000次时,也就是1 km,单片机就控制将金额自动增加。每当霍尔传感器输出一个低电平信号就使单片机中断一次,当里程计数器对里程脉冲计满1 000次时,就有程序将当前总额累加,使微机进入里程计数中断服务程序中。在该程序中,需要完成当前行驶里程数和总额的累加操作,并将结果存入里程和总额寄存器中。霍尔电流传感器在变频器中的应用在有电流流过的导线周围会感生出磁场,再用霍尔器件检测由电流感生的磁场,即可测出产生这个磁场的电流的量值。由此就可以构成霍尔电流、电压传感器。因为霍尔器件的输出电压与加在它上面的磁感应强度以及流过其中的工作电流的乘积成比例,是一个具有乘法器功能的器件,并且可与各种逻辑电路直接接口,还可以直接驱动各种性质的负载。因为霍尔器件的应用原理简单,信号处理方便,器件本身又具有一系列的独特优点,所以在变频器中也发挥了非常重要的作用。在变频器中,霍尔电流传感器的主要作用是保护昂贵的大功率晶体管。由于霍尔电流传感器的响应时间短于1μs,因此,出现过载短路时,在晶体管未达到极限温度之前即可切断电源,使晶体管得到可靠的保护。霍尔电流传感器按其工作模式可分为直接测量式和零磁通式,在变频器中由于需要精准的控制及计算,因此选用了零磁通方式。将霍尔器件的输出电压进行放大,再经电流放大后,让这个电流通过补偿线圈,并令补偿线圈产生的磁场和被测电流产生的磁场方向相反,若满足条件IoN1=IsN2,则磁芯中的磁通为0,这时下式成立:Io=Is(N2/N1)式中,Io为被测电流,即磁芯中初级绕组中的电流,N1为初级绕组的匝数,Is为补偿绕组中的电流,N2为补偿绕组的匝数。由上式可知,达到磁平衡时,即可由Is及匝数比N2/N1得到Io。霍尔电流传感器的特点是可以实现电流的“无电位”检测。即测量电路不必接入被测电路即可实现电流检测,它们靠磁场进行耦合。因此,检测电路的输入、输出电路是完全电隔离的。检测过程中,检测电路与被检电路互不影响。
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霍尔传感器的原理是什么?有哪些应用?有什么优缺点?
成都的冬天是不是来了,昨天竟开始变得有点小冷了。估计米亚罗的红叶又开始“泛滥”了。但是我哪里也不去,呆在家里写日记。本来我是想接着上一篇,再写一下直流电机,还有伺服电机的。但是,我在看直流电机文档时,发现需要先理解霍尔传感器。所以今天还是先说下霍尔传感器的原理。这篇日记不长...
2020-11-241
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浅谈基于霍尔传感器的电流监测及过流保护设计-安科瑞 王阳
摘要:根据机载电子设备健康监测和视情维修的要求,发射装置内场测试仪需增加对被测产品进行电流监测的功能;同时,为避免测试期间因过流而导致的产品或测试设备损坏,亟需实现对被测产品的动态过流保护。基于此需求,设计了一种基于霍尔传感器的实现方案。硬件方面,电路由器件、电流监测电路和...
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霍尔传感器在智能坐便器上的应用
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参考资料
1.

霍尔效应
.北京航空航天大学.2013-03[引用日期2013-07-18]
效应传感器:传感器效应,sensor effect,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典  第2张

效应传感器:霍尔效应传感器

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霍尔效应传感器
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霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种。
中文名
霍尔效应传感器
原 理
霍尔效应
类 别
传感器
应用于
计量仪器
目录
1
简介
2
历史
3
工作原理
4
霍尔探头
霍尔效应传感器简介
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霍尔效应传感器也称霍尔传感器,是一个换能器,将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场,此外还可测量产生和影响磁场的物理量,例如被用于接近开关、霍尔、位置测量、转速测量和电流测量设备。其最简单的形式是,传感器作为一个模拟换能器,直接返回一个电压。在已知磁场下,其距霍尔盘的距离可被设定。使用多组传感器,磁铁的相关位置可被推断出。通过导体的电流会产生一个随电流变化的磁场,并且霍尔效应传感器可以在不干扰电流情况下而测量电流,典型的构造为将其和绕组磁芯或在被测导体旁的永磁体合成一体。通常,霍尔效应传感器和电路相连,从而允许设备以数位(开/关)模式操作,在这种情况下可以被称为开关。工业中常见的设备,例如气缸,也被用于日常设备中,如一些打印机使用他们来监测缺纸和敞盖的情况。当键盘被要求高可靠性时,便也设计霍尔传感器在其按键内。霍尔效应传感器通常被用于计量车轮和轴的速度,例如在内燃机点火定时(正时)或转速表上。其在无刷直流电动机的使用,用来检测永磁铁的位置。轮子带有两个等距的磁铁,传感器上的电压在一个周期内将两次达到峰值,此设置通常被用来校准磁盘驱动的速率。
[1]
霍尔效应传感器历史
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这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
[1]
霍尔效应传感器工作原理
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图1 霍尔电压随磁场强度的变化而变化
霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。图1所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。
[2]
霍尔效应传感器霍尔探头
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霍尔探头使用铟的化合物晶体,如娣化铟。晶体大小为5平方毫米左右,置于铝基上,通过封装成为探头。晶体平面垂直于探头底侧,底侧由非铁磁材料制成,以避免自身影响磁场。引线自晶体出发,穿过底侧,进入到电路模块。把探头置于磁场中,当电流流经晶体时,载流子受洛伦兹力作用出现偏转导致载流子在晶体上的分布不均匀,晶体两端的铝基上因此可以探测到霍尔电压。霍尔探头可以测量微弱的地球磁场。霍尔探测器首先需要根据已知磁场强度进行调校。然后,探头需要以适当方向放置以使地磁场磁流线直接穿过它。然后再以反方向放置,所读出的流密度是地球磁流密度的两倍。
[2]
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参考资料
1.

陈非凡. 工程测试技术. 清华大学出版社. 2006
2.

张洪润,张亚凡. 传感技术与应用教程. 清华大学出版社. 2005

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