mos传感器:livemos

2021/10/29 10:35 · 传感器知识资讯 ·  · mos传感器:livemos已关闭评论
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mos传感器:livemos收藏查看我的收藏0有用+1已投票0livemos语音编辑锁定讨论上传视频上传视频livemos也是一种图像传感器,与CCD及CMOS功能相同。由奥林巴斯及松下共同研制成功,用于二者同时参与的开放式4/3单反系统。该传感器既有CCD成像效果

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livemos也是一种图像传感器,与CCD及CMOS功能相同。由奥林巴斯及松下共同研制成功,用于二者同时参与的开放式4/3单反系统。该传感器既有CCD成像效果好的优势,同时也具备了CMOS非常省电的特性,在该特性结合基础之上同时能够实现屏幕的实时取景功能。
外文名
livemos
开始使用时间
2006年
开发商
奥林巴斯、松下
元件特点
增益、优秀的低照度
目录
1
简介
?
基本简介
?
元件特点
?
元件优点
?
图解
2
一些争议
?
概述
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第一种
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第二种
?
第三种
livemos简介
编辑
语音
livemos基本简介
livemos感光元件
Live MOS是松下、莱卡和奥林巴斯于2006年开始研发,专用于它们的4/3镜头系统的感光元件,使用它的相机包括Olympus E-330、Panasonic Lumix DMC-L1、Panasonic Lumix DMC-L10、Panasonic Lumix DMC-G1和Leica Digilux 3。它主要是由Panasonic开发的,其声称可以拥有CMOS的低耗电的优点下,有等同CCD的影像质素。 由于Live MOS低耗电,所以使用4/3规格的相机可以增加Live View功能(Olympus E-400除外)。随着奥林巴斯E-330的发布以及徕卡DIGILUX3、松下L1的降临,4/3系统再次成为人们关注的焦点。而在L1和E-330中使用的感光元件也已经不再是传统的设计,而是采用了被称为LiveMOS的新型感光器件。据奥林巴斯官方宣称,这种全新感光器件的像素质可以媲美全画幅(FFT)CCD,而在低功耗上则可以媲美CMOS。另外,简化的电路同时使得光电二极管到微透镜的距离缩短,从而保证了优秀的敏感性和大入射角的画面质量。
livemos元件特点
1、具有优秀的低照度性能特性;2、增益:采用了低躁声技术,降低颗粒性;3、影调范围:简化了寄存器和其它电路,使得FFT-CCD感光二极管的感光面积更大,提高了灵敏度和提高响应速度;4、低功耗:其功耗大约是FFT-CCD的一半;5、高速:简单的电路结构提高了整体的处理速度。
livemos元件优点
感光区域大约是感光元件表面的30%(与CCDs相比)。LiveMOS感光元件的优点是:简单电路要求和更薄的NMOS结构层,从而提供了更大的感光区域。而且,电路技术的改进提高了感光效率和改进了像素质。
livemos图解
livemos图解
新型的光电二极管读出传输机理,将电路通道的数量减少到两条(同CCD感光器件),从而使得不参与感光的区域变小。通过有效地扩大感光区域,使得捕捉光线的能力加强,在保证了高灵敏度的同时也保证了画面素质。同时,已经研制了新的低躁声光电信号放大电路,将用于以后的灵敏度改进。在5V(设计电压:2.9V)低压系统中,采用的专用处理技术,大大地降低了躁声。考虑了工作信号躁声,感光光电二极管深嵌入硅片中,与芯片表面上产生噪声的元件相隔离。使得图象更为清晰,抑制了在低照度下拍摄经常出现得颗粒性和写噪声。这项技术整体改善了低照度下的性能,在低照度下拍摄的画面更为清晰。
livemos一些争议
编辑
语音
livemos概述
现在大家对这个感光元件的由来有三种猜测:
livemos第一种
是来自奥林巴斯自己的设计生产的,这种说法支持率似乎是最低的,大家都对奥林巴斯在资金以及技术上开发这个MOS的能力产生怀疑。
livemos第二种
是说这颗Mos是由松下公司生产的,早在04年9月奥林巴斯就宣布和松下联合开发数码单反,松下公司在04年2月开发出了新型的MOS,不过当时只有200万像素被广泛应用在了手机上,现在市面上大家见到的松下VS7、VS3之类的手机使用得都是他们自产的MOS元件。不过经过一年半的开发研究不排除他们的MOS已经到了750万像素甚至更高像素的可能性。 不过很多朋友认为,松下公司不可能这么快的推出高像素的MOS,如果和松下公司合作这款E-330应该具有防抖功能。小编觉得防抖的说法似乎站不住脚,现在只有柯美的数码单反具有镜组防抖技术,更多的单反把防抖功能应用在了镜头上,2008年上市的尼康D200随机带的18-200mmVR头就是一个好的例子。但从松下宣布要出单反的角度来看,很有可能在松下推出的第一款数码单反上会应用防抖技术。不过第二种说法被下面第三种说法所终结了。
livemos第三种
是这个感光元件来自美国Cypress公司,在2005年11月7日的时候Cypress公司曾发布了一款新型的MOS,具体描述如下:于2005年11月7日、发表APS-C格式CMOS感光组件CYIHDSC9000AA及CYIHDSM9000AA的sample开始出货。预定2006年2月开始量产。价格1个约90美金。DSLR为对象、APS-C 格式(23.3×15.5mm)的CMOS感光组件。135格式换算的焦离为1.5倍。CYIHDSC9000AA为彩色、CYIHDSM9000AA为黑白。像素数为900万。最大分辨率为3,710×2,434pix。长宽比为3:2。像素间距为6.4μm。最大分辨率时可5张/秒的连拍。此外、可以640×480Pix、20fps来摄影。该公司所拥有的high fill-factor pixel architectur专利,使其CMOS感光组件不需使用microlenses。美国Eastman Kodak的DSLR「DCS Pro」系列的CMOS感光组件也是采用同技术。Cypress于2004年买下了、DCS Pro的CMOS感光组件制造厂----比利时的FillFactory。根据了解奥林巴斯公司与美国Cypress公司有三年的合作协议,在此期间奥林巴斯可以使用Cypress公司的产品,实际上美国Cypress公司早在几年前就一直在给柯达提供感光元件,只不过柯达后来退出了数码单反市场,最近又和奥林巴斯合作也算给自己的产品找到了一条生路。最终第三种猜测得到了证实(日文原地址),上面内容是参与4/3系统开发人员的Blogs,里面已经提到了这个感光元件由美国Cypress公司提供。看来第三种说法是很靠谱的了!
[1]
词条图册
更多图册
参考资料
1.

mos传感器:MOS图像传感器[发明专利]

专利内容由知识产权出版社提供
摘要:
本发明提供一种MOS图像传感器,其包括:半导体衬底,其具有许多个设置成矩阵形式的
像素,该半导体衬底包括包含光电二极管的电荷聚积区和浮动扩散区的第一区以及包含多个晶体管的
第二区,每个晶体管具有栅极和源极/漏极区;第一二氧化硅膜,其形成在该半导体衬底上方,覆盖该
第一区中的该电荷聚积区的表面,并形成为该第二区中至少一些晶体管的栅极侧壁上的侧壁间隔物;
以及氮化硅膜,其形成该第一二氧化硅膜上方,覆盖该第二区中的源极/漏极区并且至少在该第一区中
的该电荷聚积区上方的区域中具有开口。本发明提供的半导体图像传感器具有高灵敏度并能够以低噪
声提供输出。
申请人:
富士通株式会社
地址:
日本神奈川县
国籍:
JP
代理机构:
隆天国际知识产权代理有限公司
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mos传感器:livemos  第2张

mos传感器:传感器类CMOS与MOS的区别?

MOS管就是场效应管,场效应管是一种重要电子元件,现在被广泛使用,他具有和以前的电子管一样的特性,是一种电压控制元件,依靠电压信号进行放大,原理是依靠一个信号控制导电构宽度从而控制导电性,场效应管具有三个接脚。
CMOS
互补金属氧化物半导体,是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路,换句话说,他是一种由无数电子元件组成的储存介质,比如说,MOS是一个电子器件,而CMOS是容器,他可以装数据在里边。
现在的单电相机大都采用Live
MOS感光传感器,而佳能的单反相机则使用CMOS感光元件比较多。CMOS的画质比最早的CCD稍差,但是功率低,大概只有CCD的1/3,MOS感光元件的画质可以和CCD媲美,但是功率却和CMOS差不多。
mos传感器:livemos  第3张

mos传感器:金属氧化物半导体传感器(MOS)的喜与忧

在气温多变(上至50℃下至25℃左右)且湿度大的气候环境下,例如中东地区,MOS(金属氧化物半导体)传感器被视为能够胜任高难度硫化氢检测任务的解决方案之一 。
但是,用户和气体检测人士已经意识到,MOS传感器并非最为可靠的检测技术。此文阐述了为何该技术难以维持,以及用户可能面临哪些问题。
MOS传感器
MOS传感器技术其中一个主要缺点在于,当传感器在一段时间内未感应到气体时,很容易会“进入休眠状态”。对于在相关区域内工作的操作人员而言,这无疑将是一个巨大的安全隐患,因为没有人愿意看到面前的气体检测器无法检测到气体。
MOS 传感器需要使用一个加热器进行平衡,使其生成的检测读取值保持一致性。然而,首次开启时,加热器的加热过程需要耗费一些时间,使得从传感器开启到检测出有害气体时发出响应之间存在一个明显的时间延迟。因此,MOS制造商建议用户在进行校准前,对传感器进行24-48小时平衡处理。一些用户可能认为这会耽误生产,而且还会延长维护时间。
加热器的加热过程不仅仅耗费时间, 还将耗费大量电能,从而额外产生直流电源线内温度急剧变化的问题,造成检测头电压变化,以及气体水平读取值不准确。
正如金属氧化物半导体的名称所示,传感器采用半导体材料,已证明这种材料会随着湿度变化而发生漂移,因此对于中东地区潮湿的气候条件而言,并非十分理想。在其他行业,半导体通常采用环氧树脂进行封装,以避免出现上述问题,但在气体传感器中,这层涂层会影响气体检测机制,因为由此会使气体无法到达半导体所在位置。此设备还会受到中东地区当地的砂粒形成的酸性环境的作用,从而影响到导电率以及气体读取值的准确性。
MOS传感器另一个显著安全问题是,当硫化氢浓度值接近于零时,可能会产生错误报警。很多情况下,在使用传感器时,控制面板设置为“零点抑制”。这意味着,当硫化氢浓度值开始上升一段时间后,控制面板读取值可能仍会显示为零。当存在较低浓度的气体显示延后的情况,则可能会导致延迟严重气体泄漏警告、影响人员疏散时机,从而对生命造成极大风险。
MOS传感器具有可以快速对硫化氢作出响应的极佳特性,如果需要采用烧结片,便会减弱这种性能优势。由于硫化氢是一种“吸附性”气体,因此可以吸附到包括烧结片在内的物体上,从而降低了气体到达传感器的速度。
为了克服MOS传感器具有的缺陷,我们对所采用的电化学技术重新进行了研究并加以改进,推出了用于XgardIQ的全新高温(HT)硫化氢传感器组件。利用我们全新的研发成果,可实现在最高70°C,相对湿度 0-95% 条件下运行,尤其在中东地区严苛的温度条件下运行效果很好。
我们全新的 HT 硫化氢检测器适用于高温条件下的硫化氢气体检测,防止其在执行任务时休眠哦!

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