硅光电池传感器:【红外接收发射光敏硅光电池接收头传感器S2387

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摘要:

硅光电池传感器:【红外接收发射光敏硅光电池接收头传感器S2387企业类型有限责任公司注册资本580.00万人民币公司注册地址天津市和平区南营门街南京路235号河川大厦A座22B-1统一社会信用代码MA05MALTXU登

硅光电池传感器:【红外接收发射光敏硅光电池接收头传感器S2387

企业类型有限责任公司注册资本580.00万人民币公司注册地址天津市和平区南营门街南京路235号河川大厦A座22B-1统一社会信用代码MA05MALTXU登记机关天津市和平区市场监督管理局法定代表人/负责人陆兆航公司成立日期2016-12-27营业期限2016-12-27 - -经营范围光电技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务;光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备、电子设备、智能设备、通讯设备、仪器仪表、实验室设备、五金交电、电线电缆、环保设备、汽车配件、工艺品、办公用品的销售;自营和代理货物及技术的进出口业务;光电设备安装、调试及检修(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

硅光电池传感器:【红外接收发射光敏硅光电池接收头传感器S2387  第1张

硅光电池传感器:硅光电池

硅光电池

发布时间:2020/3/27 14:55:13
所属类别:传感器 ? 光敏传感器
公 司:深圳双信达智能科技有限公司
联 系 人:销售部

硅光电池属性

本站价格:1 用途:1 规格:1
市场价格: 1 生产厂家:1

硅光电池描述

 
 
PIN管系列硅光电池(包括内置放大电路系列) 
  
 
系列2紫外增强硅光电池 
  
 
系列4低串联电阻硅光电池
 
  
 
系列5高速响应硅光电池 
  
 
系列6低噪声硅光电池 
  
 
系列7低电容近红外增强硅光电池
内置集成放大电路系列
型号特性感光面积(mm2)峰值/感光波长(nm)封装形式
OSH9-IT通用测量9.0940nm/(400-1100nm)
940nm/(400-1100nm)
940nm/(400-1100nm)
940nm/(400-1100nm)
940nm/(190-1100nm)
615~680nm
TO5-4
OSH9-GT高增益测量9.0
OSH4-HT高速测量4.0
OSH4-PT脉冲测量4.0
OSH301M紫外测量,完全替代OP301M9.0
OSH9-ITF
半导体激光测量(635nm,650nm)
 9.0
硅光电池:
 
型号封装面积(mm2)尺寸
(mm)峰值波长
p(nm)响应波长
(nm)实物
OSD002-HTPILLPackage0.196φ0.~
OSD4-ICCERpcb42*~
OSD4-IT2TO-1842*~
OSD4-ITTO-1842*~
OSD5R-ICCERpin162*~
0SD9-ICCERpcb93*~
OSD9-UTTO-4633*~
OSD18-ICCERpcb18.494.3*4.~
OSD36-UCCERpin366*~
OSD50-HTTO-4650φ~
OSD100-ICCERpin*~
OSD200-HCCERpin50φ~
OSD196-HCCERpin19.6φ~
 
高速硅光电池:
 
型号封装面积(mm2)尺寸
(mm)峰值波长
p(nm)响应波长
(nm)实物
OSD314-HTTO-4616φ~
OSD1133-UCCERpin93*~
OSD9-HTTO-4693*~
OSD9-TO5ITO-593*~
 
硅光电池阵列:
635nm,650nm激光测量探测器14路光电池阵列12路光电池阵列16路光电池阵列光电池面阵
OSD9-ITFOSA2-14ICOBOSA9-12ICOBOSA2.5-16ICOBOSA9-8ICOB
OSA9-2ICOSA9-4ICOSA4-11ICOSA36-2ICOSA100-2IC
OSA9-16ICOSA1.21-22ICOSA1-16ICOSA-R32
*可根据客户要求定做设计,不同的波长范围和芯片尺寸,配合不同的滤光片等,
型号受光面积响应波长实物
芯片封装尺寸
mm面积
mm2波峰
nm响应波段
nm
PC1-2TO52Φ1.-1100 
PC2-2TO5Φ1.-1100 
PC5-2TO5Φ2.-1100 
PC10-2TO5Φ3.-1100 
PC20-2TO8Φ5.-1100 
PC50-2BNCΦ7.-1100 
PC100-2BNCΦ11.-1100 
PR33-2TO85.5x6.-1100 
PS20-2TO84.5x4.-1100 
PS100-2CENpin10x-1100 
型号受光面积响应波长实物
芯片封装尺寸
mm面积
mm2波峰
nm响应波段
nm
PS30-4TO85.4x5.-
PC100-4U1Φ11.-
型号受光面积响应波长实物
芯片封装尺寸
mm面积
mm2波峰
nm响应波段
nm
PS0.25-5TO52S10.5x0.50.-
PS0.25-5LCC6.10.5x0.50.-
PS1-5TO52I0.94x0.940.-
PS1-5TO52S30.94x0.940.-
PS3.6-5TO51.9x1.93.-
PS11.9-5TO53.45x3.4511.-
PC20-5TO8Φ5.0520.-
型号受光面积响应波长实物
芯片封装尺寸
mm面积
mm2波峰
nm响应波段
nm
PC1-6TO52S1Φ1.-
PC1-6TO52S3Φ1.-
PC2-6TO5Φ1.-
PC5-6TO5Φ2.-
PS7-6TO52.6x2.-
PC10-6TO5Φ3.-
PC20-6TO8Φ5.-
PC50-6BNCΦ7.-
PC50-6TO8SΦ7.-
PC100-6BNCΦ11.-
PS100-6U1Φ11.-
PS100-6CERpinΦ10x-
PR33-6TO86.1x5.533.-
PS25-6TO84.9x4.-
型号受光面积响应波长实物
芯片封装尺寸
mm面积
mm2波峰
nm响应波段
nm
PC1-7TO52S1Φ1.-
PC1-7TO52S3Φ1.-
PC2-7TO5Φ1.-
PC5-7TO5Φ2.-
PC10-7TO5Φ3.-
PC20-7TO8Φ5.-
PC50-7TO8SΦ7.-
PC100-7BNCΦ11.-
PC100-7U1Φ11.-
PS100-7CERpin10x-
PR200-7CER10x-
PS0.25-7TO52-S10.5x0.50.-
PC20-7-SMU1Φ5.-
PS25-7TO84.9x4.-
PR80-7U18x-
硅光电池:BPW34、BPW34S、BPW21、BPW21R、2DU3、2DU5、2DU6、2DU10、2CR11、2CR21、2CR31、2CR33、2CR43、2CR53、2CR73、2CR91、2CR63、2CR83、2CR93、2CR81-10、2CR61-7、2CRφ10
两通道硅光电池
色选机用硅光电池
硅光电池BPW34
硅光电池BPW34S
硅光电池BPW21R
 两通道硅光电池
 
高精度PSD位置传感器选型
一、一维PSD选型
型号
有效面积
(mm*mm)
分辨率
(μm)
响应时间
(μs)
响应光谱
(nm)
工作温度
(℃)
PSD-0208
2.0×8
1
1
400-1100
-10~60
PSD-1315
1.3×15
0.1
0.8
380-1100
-10~60
PSD-0220
2.0×20
1
1
380-1100
-10~60
PSD-2534
2.5×34
1
5
380-1100
-10~60
PSD-X70
X×70
5
10
380-1100
-10~60
一维PSD处理板
型号
工作电压
(V)
工作电流
(mA)
精度
(μm)
输出
(V)
1D-PSD
正负15
50
>5
正负10(可调)
注:更多规格可根据您的要求定做
二、二维PSD选型
型号
有效面积
(mm*mm)
分辨率
(μm)
响应时间
(μs)
响应光谱
(nm)
工作温度
(℃)
PSD-0707
7×7
1
0.8
380-1100
-10~60
PSD-1515
15×15
1
0.8
380-1100
-10~60
PSD-2121
21×21
1
1
380-1100
-10~60
PSD-2727
27×27
2
2
380-1100
-10~60
PSD-6060
60×60
5
6
380-1100
-10~60
二维PSD处理板
型号
工作电压
(V)
工作电流
(mA)
精度
(μm)
输出
(V)
2D-PSD
正负15
100
>5
正负10(可调)
注:更多规格可根据您的要求定做
 
紫外发光二极管深紫外发光二极管近紫外发光二极管
牙医蓝大功率发光二极管大功率深紫外发光二极管
发光二极管驱动 
激光二极管气体分析用激光二极管超辐射激光二极管 
通用激光二极管 激光二极管驱动控制器 
光纤耦合激光二极管激光二极管配件
大功率泵浦激光二极管模块半导体光学放大器
红外发光二极管大功率红外发光二极管中红外发光二极管
发光二极管驱动近红外发光二极管
光电探测器热电堆探测器硅光电探测器
热释电探测器锗光电探测器
中红外光电探测器InGaAs光电探测器
紫外探测器 双波段探测器
CO红外探测器CH4红外探测器CO2红外探测器SF6红外探测器SO2红外探测器HC红外探测器
红外光源红外光电气体传感器NDIR红外气体传感器红外温度传感器红外气体分析器件
CO2红外光源CH4红外光源CO红外光源C3H8红外光源C4H10红外光源C2H4红外光源C2H2红外光源SF6红外光源SO2红外光源HC红外光源
安防产品主动红外被动红外门窗磁控感应器
其它产品电子元器件产品液位传感器接近传感器
干簧管磁簧继电器光电传感器液位开关
浮子   
becker-hickl光子计数产品中国代理资料下载Excelitas单光子计数器SPD单光子计数器Hamamatsu光子计数模块HORIBA光子计数代理美国斯坦福单光子计数器TH单光子计数器COUNT单光子计数器PILATUS光子计数器其它光子计数器
 

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对射式光电开关  
   
 
反射式光电开关   &nb

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InGaAs PIN光电二极管探测器
InGaAs PIN Photodiode Detectors RT 非致冷型
主要性能: &

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气体探测器光电探测器光电开关发射管光敏管硅光电池单点雪崩管各种峰值波长雪崩二极管

APD(雪崩二极管)模块/APD线阵
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盖革Geiger APD
700可见光波段敏感盖革盖革盖格模式单光子计数可工作于模式适用于极弱信号探测单光子激

四象限探测器
四象限探测器红外紫外内置放大电路四象限探测器采集卡硅四象限探测器波长主要应

硅光电池传感器:【红外接收发射光敏硅光电池接收头传感器S2387  第2张

硅光电池传感器:硅光电池有哪些特性

描述
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN 结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路,当二极管的管芯(PN结)受到光照时,你就会看到微安表的表针发生偏转,显示出回路里有电流,这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多,所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。
光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用,在现代科技发展中起到了十分重要的作用。
能源--硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源;也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。
光电检测器件--用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光增加准直、电影还音等设备的光感受器。
硅光电池优质推荐OTRON品牌。
光电控制器件--用作光电开关等光电控制设备的转换器件。
1. 半导体PN结原理
目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理、光电效应理论和光伏电池产生机理。
图1是半导体PN结在零偏、正偏、反偏下的耗尽区。当P型和N型半导体材料结合时,即没有外加电压的零偏时(图1a),由于P型材料多数载流子为空穴(带正电荷,Positive charge),而N型材料多数载流子为电子(带负电荷,Negative charge),结果各自的多数载流子向对方扩散,扩散的结果使得电子与空穴在结合区复合,则两侧的P型区出现负电荷,N型区带正电荷,形成一个势垒(对于硅,约为0.7 V),由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行。当两者达到平衡时,在PN结两侧形成一个耗尽区。耗尽区的特点是无自由载流子,呈现高阻抗。当PN结反偏时(图1b),外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强,更加不利于多数载流子的扩散运动,但有利于由于温度效应被激发的少数载流子的漂移运动,导致极小的反向电流。若干反向电压足够大,则该反向电流将达到一个饱和电流IS(《1 μA);当PN结正偏时(图1c),外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外电场作用下变窄,使势垒削弱。当外加电压大于开启电压(对于硅,约为0.5 V),势垒将被消除,多数载流子的扩散运动将持续进行,形成P→N方向的正向电流I,这就是PN结的单向导电性。
2. 发光二极管LED工作原理
当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时,空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光,发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关。发光波长λP可由下式确定:
pg/hcE (1)
式中的h为普朗克常数,c为光速。在实际的半导体材料中能级间隙Eg有一个宽度,因此发光二极管发出光的波长不是单一的,其发光波长半宽度一般在25~40nm左右,随半导体材料的不同而有差别。发光二极管输出光功率P与驱动电流IL的关系由下式决定:
pL/pEIe (2)
式中η为发光效率,Ep是光子能量,e是电荷常数。
输出光功率与驱动电流呈线性关系,当电流较大时由于PN结不能及时散热,输出光功率可能会趋向饱和。本实验用一个驱动电流可调的红色超高亮度发光二极管LED作为实验用光源,采用的发光二极管驱动和调制电路如图2所示,其中的信号调制采用光强度调制的方法,
发送光强度调节器用来调节流过LED的静态驱动电流,从而改变发光二极管的发射光功率。设定的静态驱动电流IL调节范围为0~20 mA,对应面板上的光发送强度驱动显示值VE为0~2000 mV(VE=100IL,对应IL时,小数点在倒数第二位之前,单位为mA,即XX.XX mA)。正弦调制信号(频率f=1~1000 KHz)经电容、电阻网络及运放跟随隔离后耦合到放大环节,与发光二极管静态驱动电流迭加后使发光二极管发送随正弦波调制信号变化的光信号,如图3所示,变化的光信号可用于测定光电池的频率响应特性。
3. 硅光电池SPC(Silicon Photocell)的工作原理
硅光电池是一个大面积的光电二极管(Photodiode),它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
当半导体PN结处于零偏或反偏时,在它的结合面耗尽区存在一内电场。当有光照时,入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带,激发出的电子-空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区,形成一个正向光伏电压VP,可用作光电池SPC,对外输出电流。当在PN结两端加负载时就有一光生电流IP流过负载,方向是从P型区流入负载,然后流入光电二极管的N型区,与PN结的正向导通电流方向相反。于是,流过PN结两端的电流I可由式(3)确定:
其中IS为没有光照射时的反向饱和电流,V为PN结两端电压,T为绝对温度,k为玻尔兹曼常数,IP为产生的光电流。室温300 K下,e/kT=26 mV。从式中可以看到,当光电二极管处于零偏时,V=0 V,流过PN结的电流I=–IP;当光电二极管处于反偏时(本实验取–5 V),流过PN结的电流I≡–IPS=–( IP+IS), 从而IS=IPS– IP。因此,当光电二极管光电池用作光电池时,光电二极管必须处于零偏,而用作一般的光电转换器时,必须处于零偏或反偏状态。
光电池SPC处于零偏或反偏状态时,产生的光电流IP与输入光功率Pi有以下关系:
式中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长,在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg,以保证处于价带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带,对于硅光电池其长波截止波长为λT=1.1 μm,在短波长处也由于材料有较大紫外吸收系数使R值很小。
图4左部是光电信号接收端的工作原理框图,光电池把接收到的光信号转变为与之成正比的电流信号(μA级),再经电流电压转换器(I/V转换器)把光电信号转换成与之成正比的电压信号(mV级)。比较光电池零偏和反偏时的信号,就可以测定光电池的IS。当发送的光信号被正弦信号调制时,则光电池输出电压信号中将包含正弦信号,据此可通过示波器测定光电池的频率响应特性。 4. 光电池的负载特性
光电池作为电池使用如图4右部所示。在内电场的作用下,入射光子由于内光电效应把处于价带中的束缚电子激发到导带,而产生光伏电压VP,在光电池两端加一个负载RL就会有电流流过,当负载电阻RL很大时,电压较大;当负载电阻RL很小时,电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定光电池的负载特性,进而可以得到光电池的伏安特性。
图4. 光电池光电信号接收、特性测试框图(数字1~4分别表示需连线的4个实验序号)。
除示波器外,其它全部器件在TKGD-1型硅光电池特性仪上
1. 硅光电池光伏电压与输入光信号关系特性测定
将功能转换开关打到“负载”处,将硅光电池输出端连接恒定负载电阻RL(如取5K)和特性仪上的数字电压表,从19~1 mA调节发光二极管静态驱动电流(2 mA/步),实验测定光电池输出电压随输入光强度的关系(若IL=19 mA时VP超量程,则适当减小RL),记录数据,并绘制VP–IL曲线。
2. 硅光电池负载特性测定
在硅光电池输入光强度不变时(取IL=10 mA),测量当负载从1~10 K?的范围内变化(1 Kω/步)时,光电池的输出电压VP随负载电阻RL的变化关系,记录数据,求出对应的IP,并绘制VP–RL和IP-VP曲线。
3. 硅光电池光电流与输入光信号关系特性测定
打开特性仪电源,调节发光二极管静态驱动电流IL,其调节范围0~20 mA(相应于发光强度指示0~2000,具体数值对应IL=XX.XX mA),将偏置电压切换分别打到零偏和反偏,将硅光电池输出端连接到I/V转换器的输入端,将I/V转化器的输出端连接到特性仪上的毫伏表(XXX.X mV, 本组转换器一般1 μA 光电流IP 转换为约2.5~5.0 mV的输出电压,因仪器具体情况有所区别)的输入端,分别测定光电池在零偏和反偏时光电流I(IP和IPS)与输入光信号IL关系。记录数据(IL取整),并在同一张坐标纸上作图IP/IPS–IL,比较光电池在零偏和反偏时两条曲线关系,求出光电池的饱和电流IS的平均值。
4. 硅光电池的频率响应特性测定
打开信号发生器、双踪示波器电源,将功能转换开关打到“零偏”处,将硅光电池的输出连接到I/V转换模块的输入端。令LED偏置电流为10 mA,在信号输入端加正弦调制信号,使LED发送调制光信号,保持输入正弦信号的幅度(VPP=5 V)不变,调节信号发生器频率(1, 10, 20 KHz,然后20 KHz/步),用示波器观测并测定记录发送光信号的频率变化时,光电池输出信号幅度(交流成份的峰-峰值) uPP (mV)的变化,测定光电池在零偏条件下的幅频特性,记录数据,绘制幅频特性uP–f曲线,并估出其截止频率fT (10 KHz处幅度的70.7%,估计精确到10 KHz)。
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硅光电池传感器:联网汽车:我们距离5G汽车究竟还有多远?

导读:光电温度计是非接触式的测温仪表,它采用光反馈原理测量物体辐射能量,以确定温度。此仪表可用于在工业生产流程中快速测量静止或运动物体的表面温度。
1.光电温度计
光电温度计是非接触式的测温仪表,它采用光反馈原理测量物体辐射能量,以确定温度。此仪表可用于在工业生产流程中快速测量静止或运动物体的表面温度。现以WDL-31型光电温度计为例,进行概要介绍。
对于一般物体的辐射能量,可以用普朗克公式表述:
WDL-31型光电温度计就是根据该原理设计的。对已知辐射系数的物体,在选定的波长范围内,用所测得的物体表面的辐射能量转换为电模拟量来确定温度。下图为测量原理示意图。它用一个参比灯的辐射能量与被测物体进行比较,由光敏元件和电子线路自动鉴别和调节,始终精确跟踪被测表面,从而自动地连续显示出被测物体的温度。
WDL-31型光电温度计原理图
其光学系统如下图所示,由瞄准、检测和参比三部分组成。
WDL-31型光电温度计光学系统
2.光电比色高温计
WDS型光电比色高温计也是非接触式高温测量仪表。可测温度范围目前为°C,其精度为0.5%,响应速度由光敏器件及二次仪表记录而定。它是以辐射体在两个不同波长的辐射能量的比值来测量温度的。它的独特优点是:反应速度快,测量范围宽,测量温度较接近真实温度,测量环境如粉尘、水气、烟雾等对其测量结果影响较小。
如下图所示,被测对象经物镜成像于光阑,通过光导混合均匀后,投射在分光镜上。分光镜使长波(红外)部分透射,而使短波(可见光)部分反射。透过分光镜的辐射能再经滤光片将其短波部分滤掉,被作为红外接收元件的硅光电池所接收,并转换成电信号输出;反射出来的短波部分经滤光片将长波部分滤掉,被作为可见光接收元件的硅光电池所接收,同样转换成电信号输出,同时记录下两个光电信号,进行比较得出光电信号比,从而求出相对应的辐射温度。在该传感器的光阑前置一平行平面玻璃,将一部分光线反射至瞄准反射镜上,再至圆柱反射镜、目镜和棱镜,以便观察系统能清晰地看到被瞄准的测量对象。
WDS型光电比色高温计原理图
3.红外显微测温仪
该测温仪也是使用光电传感器的,整机由光机单元和电子线路单元组成。它的特点是被测表面线度微小,而且是非接触式快速测量,尤其适用于对半导体器件管芯的温度分布测量。其原理也是以“黑体”辐射定律为基础。对全部波长范围内,物体的积分辐射通量密度与其温度的4次方成正比:
式中,K一物体辐射系数;σ——斯忒藩-玻耳兹曼常量。
上式表明了物体表面温度与热辐射能大小的对应关系。利用光学系统把选定目标的辐射能,聚焦到红外探测器上,探测器将红外辐射转变为电信号,其电信号就是该物体的温度信息。HCX-1型红外显微测温仪用锑化铟作为光电转换器件。其测温范围为室温300°C,相对误差±4%,温度分辨率1°C,空间分辨率为直径49μm圆斑,工作距离为40mm,测量响应时间10-5s,探测器致冷形式为液氮致冷。
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