18b20温度传感器:DS18B20温度传感器使用方法以及代码

2021/11/02 05:55 · 传感器知识资讯 ·  · 18b20温度传感器:DS18B20温度传感器使用方法以及代码已关闭评论
摘要:

18b20温度传感器:DS18B20温度传感器使用方法以及代码第7章?DS18B20温度传感器?7.1?温度传感器概述?温度传感器是各种传感器中最常用的一种,?早起使用的是模拟温?度传感器,如热敏电阻,随着环境温度的变化,它的阻值也发生线性?变化,用处理器采集电阻两端的电压,然后根据某个公式就可以计算

18b20温度传感器:DS18B20温度传感器使用方法以及代码  第1张

18b20温度传感器:DS18B20温度传感器使用方法以及代码


7

?DS18B20
温度传感器
?
7.1?
温度传感器概述
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温度传感器是各种传感器中最常用的一种,
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早起使用的是模拟温
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度传感器,
如热敏电阻,
随着环境温度的变化,
它的阻值也发生线性
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变化,
用处理器采集电阻两端的电压,然后根据某个公式就可以计算
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出当前环境
温度。随着科技的进步,现代的温度传感器已经走向数字
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化,外形小,接
口简单,广泛应用在生产实践的各个领域,为我们的
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生活提供便利。随着
现代仪器的发展,微型化、集成化、数字化、正
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成为传感器发展的一个重
要方向。美国
DALLS
半导体公司推出的数字
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化温度传感器
DS18B20
采用单
总线协议,即单片机接口仅需占用一个
?I/O
端口,无需任何外部元件,直
接将环境温度转化为数字信号,以
?
数码方式串行输出,从而大大简化了传
感器与微处理器的接口。
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7.2?
DS18B20
温度传感器介绍
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DS18B20
是美国
DALLAS^
导体公司继
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DS1820
之后最新推出的一
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种改进
型智能温度传感器。与传统的热敏电阻相比,他能够直接读出
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被测温度并
且可根据实际要求通过简单的编程实现
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9
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12
位的数字
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值读数方式。
可以分别在
93.75?
ms

750?
ms
内完成
9
位和
12
位的数
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字量,
并且从
DS18B20
读出的信息或写入
?DS18B20
的信息仅需要一
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根口线(单线
接口)读写

温度变换功率来源于数据总线,总线本身
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也可以向所挂接的
?
DS18B20
供电,而无需额外电源。因而使用
?

18b20温度传感器:DS18B20温度检测

STM32F407VET6 -- FreeRTOS -- DS18B20温度检测
1、DS18B20 单线数字温度传感器,即“一线器件”,其具有独特的优点:
  a、采用单总线的接口方式 与微处理器连接时仅需要一根线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯。单总线具有经济性好,抗干扰能力强,适合于恶劣环境的现场温度测量。
  b、测量温度范围宽,测量精度高 DS18B20 的测量范围为 -55 ℃ ~+ 125 ℃ ; 在 -10~+ 85°C范围内,精度为 ± 0.5°C 。
  c、在使用中不需要任何外围元件。
  d、支持多点组网功能,多个 DS18B20 可以并联在惟一的单线上,实现多点测温。
  e、供电方式灵活 DS18B20 可以通过内部寄生电路从数据线上获取电源。因此,当数据线上的时序满足一定的要求时,可以不接外部电源,从而使系统结构更趋简单,可靠性更高。
  f、测量参数可配置 DS18B20 的测量分辨率可通过程序设定 9~12 位。
  g、负压特性电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作。
  h、掉电保护功能 DS18B20 内部含有 EEPROM ,在系统掉电以后,它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。
2、DS18B20内部结构:
  DS18B20内部主要包括,64位ROM、2字节温度输出寄存器、1字节上下警报寄存器(TH和TL)和1字节配置寄存器。ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同,这样就可以实现一根总线挂接多个DS18B20的目的。配置寄存器允许用户将温度 - 数字转换的分辨率设置为9,10,11或12位。DS18B20控制引脚需要一个上拉电阻,并通过开漏模式连接到总线。DS18B20无需外部电源也可运行,当总线为高电平时,通过DQ引脚提高电源,并将电存储在Cpp电容中,在总线处于低电平时为器件供电,这种方法称为“寄生电源”。另外DS18B20也可通过VDD供电。
3、DS18B20内部构成:
  
  高速暂存存储器由9个字节组成,分别为:
    1、温度的低八位数据
    2、温度的高8位数据
    3、高温阈值
    4、低温阈值
    5、配置寄存器
    6、保留
    7、保留
    8、保留
    9、CRC校验
  器件断电时,EEPROM寄存器中的数据保留,上电后,EEPROM数据被重新加载到相应的寄存器位置,也可以使用命令随时将数据从EEPROM重新加载到暂存器中。
4、温度寄存器数据格式:
  
  DS18B20中的温度传感器数据用16位二进制形式提供,其中S为符号位(正数S=0,负数S=1)。温度传感器的分辨率可由用户配置为9、10、11或12位,分别对应0.5℃、0.25 ℃、0.125℃和0.0625℃的增量。开机时的默认分辨率是12位。如果DS18B20配置为12位分辨率,那么温度寄存器中的所有位都将包含有效数据。对于11位分辨率,bit0没有定义。对于10位分辨率,bit1和bit0没有定义,对于9位分辨率,bit2、bit1和bit0没有定义。
5、TH和TL报警寄存器格式:
  
  TH和TL寄存器存储温度报警触发值,符号位S表示值是正还是负,对于正数,S=0,对于负数,S=1。DS18B20执行温度转换后,将温度值与用户定义的两个报警触发值进行比较,由于TH和TL是8位寄存器,因此在比较TH和TL时只使用温度寄存器的第11位到第4位,如果被测温度低于或等于TL值,或高于或等于TH值,则在DS18B20内部存在报警条件,并设置报警标志。主设备可以通过发出一个[EC]命令来检查总线上所有DS18B20的报警标志状态。TH和TL寄存器是非易失性的(EEPROM),当设备断电时,它们将保留数据。可以通过内存部分暂存器的字节2和字节3访问TH和TL。
6、配置寄存器数据格式:
  
  在配置寄存器中,我们可以通过R0和R1设置DS18B20的转换分辨率,DS18B20在上电后默认R0=1和R1=1(12分辨率),寄存器中的第7位和第0位到4位保留给设备内部使用。
7、 初始化时序:
  
  主机首先拉低总线,并至少持续480微秒;然后拉高释放总线,并在随后的480微秒时间内对总线进行检测;如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答,若一直都是高电平说明总线上无器件应答。做为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有至少480微秒的低电平出现,如果有,在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲,告诉主机本器件已做好准备。若没有检测到就一直在检测等待。
8、写操作时序:
  
  写周期最少为60微秒,最长不超过120微秒。若主机想写0,则把总线拉低电平最少60微秒直至写周期结束。若主机想写1,则一开始主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始,1微秒后就释放总线为高电平,一直到写周期结束。做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样,在采样期内总线为高电平则为1,若采样期内总线为低电平则为0。
9、读操作时序:
  
  对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时序是从主机把单总线拉低之后,在1微秒之后就得释放单总线为高电平,以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后,便开始送出数据,若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线,然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测,采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程,至少需要60us才能完成。

10、STM32F407VET6 -- FreeRTOS -- 读写DS18B20温度传感器例程

static ePinType_t pin;
static eGpioType_t gpio;
static float TemperatureValue=0.0f;
static unsigned char ds18b20_reset(void)
{
  unsigned char status=0;
  unsigned short timeout=0;
   gpio_set_pin(gpio, pin, 0); // 拉低总线
  delay_us(520); // 持续最少480us
  gpio_set_pin(gpio, pin, 1); // 释放总线
  delay_us(10); // 需要等待15 - 60us
   gpio_config(gpio, pin, eGPIO_IN_UP, 1); // 设置总线为输入模式
  // 进入接收模式,此时传感器会拉低总线,持续时间:60 - 240us
   while(gpio_read_pin(gpio, pin) !=0)
   {
     if(++timeout > 0xFFF0U)
    {
      status=1;
      break;
     }
  }
  // 等待总线被释放(被拉高)
  timeout=0;
  while(gpio_read_pin(gpio, pin)==0)
  {
     if(++timeout > 0xFFF0U)
    {
      status=1;
       break;
    }
  }
  gpio_config(gpio, pin, eGPIO_OUT_PP_UP, 1); // 设置为输出
  return status;
}
static void ds18b20_write_byte(unsigned char dat)
{
  unsigned char i=0;
   for(i=0; i < 8; i++)    {     gpio_set_pin(gpio, pin, 0);     delay_us(2); // 总线拉低持续时间要大于1us      if(dat & (0x01U << i)) // 低位先发      {        gpio_set_pin(gpio, pin, 1);     }     delay_us(60); // 延时60us,等待ds18b20采样读取      gpio_set_pin(gpio, pin, 1); // 释放总线     delay_us(2);    } } static unsigned char ds18b20_read_byte(void) {    unsigned char i=0;   unsigned char dat=0;   for(i=0; i < 8; i++)    {      gpio_set_pin(gpio, pin, 0); // 拉低总线      delay_us(2);      gpio_set_pin(gpio, pin, 1); // 释放总线      gpio_config(gpio, pin, eGPIO_IN_UP, 1); // 设置总线为输入模式      delay_us(10);      if(gpio_read_pin(gpio, pin) !=0) // 读时隙产生7 us后读取总线数据     {       dat |=0x01U << i; // 低位先收     }      delay_us(50); // 延时60us,满足读时隙的时间长度要求     gpio_config(gpio, pin, eGPIO_OUT_PP_UP, 1); // 释放总线     delay_us(2);   }   return dat; } static void ds18b20_task(void *parg) {    unsigned char data=0;   unsigned short temp=0;    while(1)    {      if(ds18b20_reset() !=0)      {        continue;      }     os_critical_enter(); // 进入临界区     ds18b20_write_byte(0xCC); // skip rom     ds18b20_write_byte(0x44); // 启动温度转换     os_critical_exit(); // 退出临界区     os_delay(500);     if(ds18b20_reset() !=0)     {        continue;     }     os_critical_enter(); // 进入临界区     ds18b20_write_byte(0xCC); // skip rom     ds18b20_write_byte(0xBE); // 发出读取命令     data=ds18b20_read_byte(); // 读出温度低八位      temp=ds18b20_read_byte(); // 读出温度高八位      // 计算温度值     temp=(temp << 8) | data;      // 高五位为符号位,当温度为正的时候,高五位的字节是0,当温度为负的时候,高五位字节为1      if((temp & 0xF800) !=0)      {        temp=(~temp) + 1; // 正温度值直接计算,负温度值需取反加1       TemperatureValue=-0.0625f; // 温度为负      }      else      {       TemperatureValue=0.0625f;      }     // DS18B20的分辨率是0.0625度      TemperatureValue=TemperatureValue * temp;      os_critical_exit(); // 退出临界区     os_delay(1500); // 1.5s采集一次温度数据   } } unsigned int ds18b20_init(eGpioType_t gpiox, ePinType_t pinx) {   gpio=gpiox;    pin=pinx;    // 初始化引脚    gpio_config(gpio, pin, eGPIO_OUT_PP_UP, 1);    // 创建温度采集线程   if(os_task_create(ds18b20_task, NULL, 128, eOS_PRIO_LL) !=0)    {      return 1; // 创建失败   }   return 0; } float ds18b20_temperature_value_get(void) {    return TemperatureValue; } 18b20温度传感器:DS18B20温度传感器使用方法以及代码  第2张

18b20温度传感器:ds18b20的特性_ds18b20温度传感器应用

  ds18b20的特性
  DS18B20单线数字温度传感器,即“一线器件”,其具有独特的优点:
  (1)采用单总线的接口方式与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。单总线具有经济性好,抗干扰能力强,适合于恶劣环境的现场温度测量,使用方便等优点,使用户可轻松地组建传感器网络,为测量系统的构建引入全新概念。
  (2)测量温度范围宽,测量精度高DS18B20的测量范围为-55℃~+125℃;在-10~+85°C范围内,精度为±0.5°C。
  (3)在使用中不需要任何外围元件。
  (4)持多点组网功能多个DS18B20可以并联在惟一的单线上,实现多点测温。
  (5)供电方式灵活DS18B20可以通过内部寄生电路从数据线上获取电源。因此,当数据线上的时序满足一定的要求时,可以不接外部电源,从而使系统结构更趋简单,可靠性更高。
  (6)测量参数可配置DS18B20的测量分辨率可通过程序设定9~12位。
  (7)负压特性电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作。
  (8)掉电保护功能DS18B20内部含有EEPROM,在系统掉电以后,它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。
  DS18B20具有体积更小、适用电压更宽、更经济、可选更小的封装方式,更宽的电压适用范围,适合于构建自己的经济的测温系统,因此也就被设计者们所青睐。
  DS18B20工作原理
  DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同,只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同,且温度转换时的延时时间由2s减为750ms。DS18B20测温原理如图3所示。图中低温度系数晶振的振荡频率受温度影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号发送给计数器1。高温度系数晶振随温度变化其振荡频率明显改变,所产生的信号作为计数器2的脉冲输入。计数器1和温度寄存器被预置在-55℃所对应的一个基数值。计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当计数器1的预置值减到0时,温度寄存器的值将加1,计数器1的预置将重新被装入,计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数,如此循环直到计数器2计数到0时,停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值即为所测温度。斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性,其输出用于修正计数器1的预置值。

  ds18b20温度传感器应用
  该产品适用于冷冻库,粮仓,储罐,电讯机房,电力机房,电缆线槽等测温和控制领域。
  轴瓦,缸体,纺机,空调,等狭小空间工业设备测温和控制。
  汽车空调、冰箱、冷柜、以及中低温干燥箱等。
  供热/制冷管道热量计量,中央空调分户热能计量和工业领域测温和控制。

18b20温度传感器:【常用传感器】DS18B20温度传感器原理详解及例程代码

数字温度传感器(DS18B20)
DS18B20是一款常用的高精度的单总线数字温度测量芯片。具有体积小,硬件开销低,抗干扰能力强,精度高的特点。

传感器参数

测温范围为-55℃到+125℃,在-10℃到+85℃范围内误差为±0.4°。

返回16位二进制温度数值

主机和从机通信使用单总线,即使用单线进行数据的发送和接收

在使用中不需要任何外围元件,独立芯片即可完成工作。

掉电保护功能 DS18B20 内部含有 EEPROM ,通过配置寄存器可以设定数字转换精度和报警温度,在系统掉电以后,它仍可保存分辨率及报警温度的设定值。

每个DS18B20都有独立唯一的64位-ID,此特性决定了它可以将任意多的DS18b20挂载到一根总线上,通过ROM搜索读取相应DS18B20的温度值

宽电压供电,电压2.5V~5.5V

DS18B20返回的16位二进制数代表此刻探测的温度值,其高五位代表正负。如果高五位全部为1,则代表返回的温度值为负值。如果高五位全部为0,则代表返回的温度值为正值。后面的11位数据代表温度的绝对值,将其转换为十进制数值之后,再乘以0.0625即可获得此时的温度值。

传感器引脚及原理图
DS18B20传感器的引脚及封装图如下:

DS18B20一共有三个引脚,分别是:

GND:电源地线DQ:数字信号输入/输出端。VDD:外接供电电源输入端。

单个DS18B20接线方式: VDD接到电源,DQ接单片机引脚,同时外加上拉电阻,GND接地

注意这个上拉电阻是必须的,就是DQ引脚必须要一个上拉电阻

DS18B20上拉电阻
首先我们要知道什么是漏极开路:

首先看一下 场效应管(MOSFET)

场效应管 是电压控制型元器件,只要对栅极施加一定电压,DS就会导通。

漏极开路:MOS管的栅极G和输入连接,源极S接公共端,漏极D悬空(开路)什么也没有接,直接输出 ,这时只能输出低电平和高阻态,不能输出高电平。

那么这个时候会出现三种情况:

图a为正常输出(内有上拉电阻):场效应管导通时,输出低电位输出低电位,截止时输出高电位。

图b为漏极开路输出,外接上拉电阻:场效应管导通时,驱动电流是从外部的VCC流经电阻通过MOSFET到GND,输出低电位,截止时输出高电位。

图c为漏极开路输出,无外接上拉电阻:场效应管导通时输出低电位,截止呈高阻态(断开)。

总结:

开漏输出只能输出低电平,不能输出高电平。漏极开路输出高电平时必须在输出端与正电源(VCC)间外接一个上拉电阻。否则只能输出高阻态。

DS18B20 是单线通信,即接收和发送都是这个通信脚进行的。 其接收数据时为高电阻输入,其发送数据时是开漏输出,本身不具有输出高电平的能力,即输出0时通过MOS下拉为低电平,而输出1时,则为高阻,需要外接上拉电阻将其拉为高电平。 因此,需要外接上拉电阻,否则无法输出1。

外接上拉电阻阻值:

DS18B20的工作电流约为1mA,VCC一般为5V,则电阻R=5V/1mA=5KΩ,

所以正常选择4.7K电阻,或者相近的电阻值。

DS18B20寄生电源
DSl8B20的另一个特点是不需要再外部供电下即可工作。当总线高电平时能量由单线上拉电阻经过DQ引脚获得。高电平同时充电一个内部电容,当总线低电平时由此电容供应能量。这种供电方法被称为“寄生电源”。另外一种选择是DSl8B20由接在VDD的外部电源供电

DS18B20内部构成
主要由以下3部分组成: 64 位ROM,高速暂存器,存储器

64 位ROM存储独有的序列号

ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。

高速暂存器包含:

温度传感器一个字节的温度上限和温度下限报警触发器(TH和TL)配置寄存器允许用户设定9位,10位,11位和12位的温度分辨率,分别对应着温度的分辨率为:0.5°C,0.25°C,0.125°C,0.0625°C,默认为12位分辨率,
存储器:由一个高速的RAM和一个可擦除的EEPROM组成,EEPROM存储高温和低温触发器(TH和TL)以及配置寄存器的值,(就是存储低温和高温报警值以及温度分辨率)

DS18B20高速缓存器
高速暂存器由9个字节组成

字节0~1 是温度存储器,用来存储转换好的温度。第0个字节存储温度低8位,第一个字节存储温度高8位字节2~3 是用户用来设置最高报警和最低报警值(TH和TL)。字节4 是配置寄存器,用来配置转换精度,可以设置为9~12 位。字节5~7 保留位。芯片内部使用字节8 CRC校验位。是64位ROM中的前56位编码的校验码。由CRC发生器产生。

DS18B20温度读取与计算
DS18B20采用16位补码的形式来存储温度数据,温度是摄氏度。当温度转换命令发布后,经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。

高字节的五个S为符号位,温度为正值时S=1,温度为负值时S=0

剩下的11位为温度数据位,对于12位分辨率,所有位全部有效,对于11位分辨率,位0(bit0)无定义,对于10位分辨率,位0和位1无定义,对于9位分辨率,位0,位1,和位2无定义

对应的温度计算:

当五个符号位S=0时,温度为正值,直接将后面的11位二进制转换为十进制,再乘以0.0625(12位分辨率),就可以得到温度值;

当五个符号位S=1时,温度为负值,先将后面的11位二进制补码变为原码(符号位不变,数值位取反后加1),再计算十进制值。再乘以0.0625(12位分辨率),就可以得到温度值;

例如:

+125℃的数字输出07D0( )
 
转换成10进制是2000,对应摄氏度:0.0625x2000=125°C

-55℃的数字输出为 FC90。
  
首先取反,然后+1,转换成原码为:
数值位转换成10进制是870,对应摄氏度:-0.0625x870=-55°C

代码:

配置寄存器
在配置寄存器中,我们可以通过R0和R1设置DS18B20的转换分辨率,DS18B20在上电后默认R0=1和R1=1(12分辨率),寄存器中的第7位和第0位到4位保留给设备内部使用。

单总线系统
在每个DS18B20内部都有一个唯一的64位长的序列号,这个序列号值就存在DS18B20内部的ROM中。开始的8位是产品类型编码(DS18B20是10H),接着的48位是每个器件唯一的序号,最后的8位是CRC校验码。

一线总线系统使用单总线主控来控制一个或多个从机设备。每个DS18B20都有独立唯一的64位-ID,此特性决定了它可以将任意多的DS18b20挂载到一根总线上,通过ROM搜索读取相应DS18B20的温度值。

DS18B20工作步骤
DS18B20的工作步骤可以分为三步:

1.初始化DS18B20
2.执行ROM指令
3.执行DS18B20功能指令

其中第二步执行ROM指令,也就是访问每个DS18B20,搜索64位序列号,读取匹配的序列号值,然后匹配对应的DS18B20,如果我们仅仅使用单个DS18B20,可以直接跳过ROM指令。而跳过ROM指令的字节是0xCC。

1.初始化DS18B20
任何器件想要使用,首先就是需要初始化,对于DS18B20单总线设备,首先初始化单总线为高电平,然后总线开始也需要检测这条总线上是否存在DS18B20这个器件。如果这条总线上存在DS18B20,总线会根据时序要求返回一个低电平脉冲,如果不存在的话,也就不会返回脉冲,即总线保持为高电平。

初始化具体时序步骤如下:

1.单片机拉低总线至少480us,产生复位脉冲,然后释放总线(拉高电平)。2.这时DS8B20检测到请求之后,会拉低信号,大约60~240us表示应答。3.DS8B20拉低电平的60~240us之间,单片机读取总线的电平,如果是低电平,那么表示初始化成功4.DS18B20拉低电平60~240us之后,会释放总线。

代码如下:

2.写时序
总线控制器通过控制单总线高低电平持续时间从而把逻辑1或0写DS18B20中。每次只传输1位数据

单片机想要给DS18B20写入一个0时,需要将单片机引脚拉低,保持低电平时间要在60~120us之间,然后释放总线
单片机想要给DS18B20写入一个1时,需要将单片机引脚拉低,拉低时间需要大于1us,然后在15us内拉高总线.

在写时序起始后15μs到60μs期间,DS18B20处于采样单总线电平状态。如果在此期间总线为高电平,则向DS18B20写入1;如果总线为低电平,则向DSl8B20写入0。

注意:2次写周期之间至少间隔1us

DS18B20写入的功能命令:
ROM指令:

采用多个DS18B20时,需要写ROM指令来控制总线上的某个DS18B20
如果是单个DS18B20,直接写跳过ROM指令0xCC即可

RAM指令,DS18B20的一些功能指令

常用的是:

温度转换 0x44

开启温度读取转换,读取好的温度会存储在高速暂存器的第0个和第一个字节中

读取温度 0xBE
读取高速暂存器存储的数据

读时序
读时隙由主机拉低总线电平至少1μs然后再释放总线,读取DS18B20发送过来的1或者0

DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后,便开始送出数据,若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。

注意:所有读时隙必须至少需要60us,且在两次独立的时隙之间至少需要1ps的恢复时间

同时注意:主机只有在发送读暂存器命令(0xBE)或读电源类型命令(0xB4)后,立即生成读时隙指令,DS18B20才能向主机传送数据。 也就是先发读取指令,再发送读时隙

最后一点: 写时序注意是先写命令的低字节,比如写入跳过ROM指令0xCC(),写的顺序是“零、零、壹、壹、零、零、壹、壹”,

读时序时是先读低字节,在读高字节,也就是先读取高速暂存器的第0个字节(温度的低8位),在读取高速暂存器的第1个字节(温度的高8位) 我们正常使用DS18B20读取温度读取两个温度字节即可

51例程

STM32例程
DS18B20.C

DS18B20.H

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