传感器的噪声:噪声传感器

2021/11/01 10:45 · 传感器知识资讯 ·  · 传感器的噪声:噪声传感器已关闭评论
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传感器的噪声:噪声传感器执行标准IEC-2级,GB/T3785-2型标配传声器CRY331可选配传声器CRY311(需要配套1/2转1英寸转接器)测量范围25~130dBA(因配套传声器灵敏度不同略有差异,以实际为准)动态范围≥110dB,无需

传感器的噪声:噪声传感器

执行标准
IEC-2级,GB/T3785-2型标配传声器CRY331
可选配传声器
CRY311(需要配套1/2转1英寸转接器)测量范围25~130dBA(因配套传声器灵敏度不同略有差异,以实际为准)动态范围≥ 110 dB,无需量程切换AD采样率48kHz检波方式全数字本机噪声19dB(A)、21dB(C)、27dB(Z)频率范围10Hz~20kHz频率计权A、C、Z时间计权F、S测量指标Lxy(x=A/C/Z,y=F/S)数据刷新周期50ms声压级输出RS-485;4~20mA、1~5V或2~10V三选一供电电压DC 5-24V(电流输出、电压输出时请选用高供电电压进行供电)外观尺寸?24.5mm×111mm重量115g工作条件-10~+50 ℃;相对湿度:≤90%无凝露 传感器的噪声:噪声传感器  第1张

传感器的噪声:噪声传感器在生活中的应用

噪声污染、空气污染和水污染并成为环境三大污染,目前,我国空气污染治理工作和水污染的治理工作都已经取得了一定的成效,在这种情况下,噪声污染的治理显得极为紧迫。随着生活品质的提高,我们对环境噪声提出了更高的要求。
我国对于噪声扰民方面近些年来逐步完善,有关噪声的相关政策有:《中华人民共和国环境噪声污染防治法》、《地面噪声交通噪声污染防治技术政策》、《关于加强环境噪声污染防治工作,改善城乡声环境质量的指导意见》等政策。
除法律政策之外,国家还规定了在居民区、工厂等环境,必须要安装噪声传感器,来应对噪声对居民生活造成的影响。政策与监控的双重配合下,不仅大大减少了噪声的存在,同时也促进了噪声传感器事业的发展。
噪声对人的影响
噪声污染是指所产生的环境噪声超过国家规定的环境噪声排放标准。并干扰他人正常工作、学习、生活的现象,严重情况下甚至危害人的健康。世界各国都很重视噪声问题,把噪声污染列为主要的环境污染公害之一。
噪声污染严重影响着人与生物的生活,使人得疾病。
1、30~40分贝是比较安静的正常环境;
2、超过50分贝就会影响睡眠和休息。由于休息不足,疲劳不能消除,正常生理功能会受到一定的影响;
3、70分贝以上干扰谈话,造成心烦意乱,精神不集中,影响工作效率,甚至发生事故;
4、长期工作或生活在90分贝以上的噪声环境,会严重影响听力和导致其他疾病的发生。
从上述可以看出,噪声污染对人的危害是很大的,其会损害听力、视力、有害于人的心血管系统、影响人的神经系统,使人急躁、易怒并且影响睡眠,造成疲倦、影响人与生物的生活,使人得疾病,因此,对噪音进行监测必不可少。
噪声传感器的安装及测量频率
1、噪声计量单位
分贝是衡量声音音量变化的单位,符号为dB。它是两个声音的音量之比,用对数表示。计算公式:分贝=10log(音量A/音量B) 。
2、安装位置
一般规定是可选择在噪声敏感建筑物外,距墙壁或窗户1m处,距地面高度1.2m以上。
3、监测时间及频次
噪声传感器对敏感建筑物的环境噪声监测应在周围环境噪声源正常工作条件下测量,根据曝声源的运行工况,分昼、夜两个时段连续进行。根据环境曝声源的特性,可优化测量时段。分为固定声源、交通噪声源(流动声源)。
(1)固定声源的影响
监测时间:稳态噪声测量1min的等效声级,如昼间测量1min得到Ld,夜间测量1min得到Ln。非稳态噪声测量整个工作时间(或有代表性时段)的等效声级。
监测频次:一般为不少于连续监测2天,昼夜各2次,即每天星间监测1次,夜间监测1次。
(2)交通噪声源(流动声源)
监测时间:
对于道路交通,昼、夜各测量不低于平均运行密度的20min等效声级Leq。
对于铁路、城市轨道交通(地面段)、内河航道,昼、夜各测量不低于平均运行密度的1h等效声级Leq,若城市轨道交通(地面段)的运行车次密集,测量时间可缩短至20min。
监测频次:
一般为不少于连续监测2天,昼夜各2次,即每天昼间监测1次,夜间监测1次。
传感器的噪声:噪声传感器  第2张

传感器的噪声:噪声监测需要注意哪些_噪声传感器的工作原理及应用

原标题:噪声监测需要注意哪些_噪声传感器的工作原理及应用

噪声对听觉器官的影响是一个从生理移行至病理的过程,造成病理性听力损伤必须达到一定的强度和接触时间。危害噪声引起听觉器官损伤的变化一般是从暂时性听阔位移逐渐发展为听阔位移,噪声对人体的危害是全身性的,既可以引起听觉系统的变化,也可以对非听觉系统产生影响。此外,作业场所中的噪声还可以干扰语言交流,影响工作效率,甚至引起意外事故。

生产生活中,噪声的干扰无处不在,为保证人们的生活环境,有关部门规范了相应的标准来规定工业企业和固定设备厂界环境噪声排放限值及其测量方法。那么噪声监测需要注意哪些呢?

1、监测因子

一般为Ld(蛋间等效连续A声级)、Ln(夜间等效连续A声级),有突发噪声或偶发噪声时夜间需同时测量Lmax(较大A声级)【Lmax必须写上前面的限定词语】

2、监测布点方案

一般规定是可选择在噪声敏感建筑物外,距墙壁或窗户1m处,距地面高度1.2m以上。

3、监测时间及频次

对敏感建筑物的环境噪声监测应在周围环境噪声源正常工作条件下测量,根据噪声源的运行工况,分昼、夜两个时段连续进行。根据环境曝声源的特性,可优化测量时段。分为固定声源、交通噪声源(流动声源)。

(1)固定声源的影响

监测时间:稳态噪声测量1min的等效声级,如昼间测量1min得到Ld,夜间测量1min得到Ln。非稳态噪声测量整个工作时间(或有代表性时段)的等效声级。

监测频次:一般为不少于连续监测2天,昼夜各2次,即每天星间监测1次,夜间监测1次。

(2)交通噪声源(流动声源)

监测时间:

对于道路交通,昼、夜各测量不低于平均运行密度的20min等效声级Leq。

对于铁路、城市轨道交通(地面段)、内河航道,昼、夜各测量不低于平均运行密度的1h等效声级Leq,若城市轨道交通(地面段)的运行车次密集,测量时间可缩短至20min。

监测频次:

一般为不少于连续监测2天,昼夜各2次,即每天昼间监测1次,夜间监测1次。

噪声监测中,噪声传感器尤为重要,噪声传感器是噪声监测的基础,噪声数据监测是否准确,也决定于噪声传感器。

噪声传感器的工作原理

噪声传感器内置一个对声音敏感的电容式驻极体话筒,驻极体面与背电极相对,中间有一个极小的空气隙,形成一个以空气隙和驻极体作绝缘介质,以背电极和驻极体上的金属层作为两个电极构成一个平板电容器。电容的两极之间有输出电极。由于驻极体薄膜上分布有自由电荷。当声波引起驻极体薄膜振动而产生位移时;改变了电容两极板之间的距离,从而引起电容的容量发生变化,由于驻极体上的电荷数始终保持恒定,根据公式:Q=CU,所以当C变化时必然引起电容器两端电压U的变化,从而输出电信号,实现声音信号到电信号的变换。

具体来说,驻极体总的电荷量是不变,当极板在声波压力下后退时,电容量减小,电容两极间的电压就会成反比的升高,反之电容量增加时电容两极间的电压就会成反比的降低。再通过阻抗非常高的场效应将电容两端的电压取出来,噪声传感器同时进行放大,从而可以得到和声音对应的电压了。由于场效应管时有源器件,需要一定的偏置和电流才可以工作在放大状态,因此,驻极体话筒都要加一个直流偏置才能工作。

建大仁科噪声传感器是一款高精度的声音计量仪器,产品采用高灵敏度的电容式麦克风,信号稳定,精度高。具有测量范围宽、线形度好、使用方便、便于安装、传输距离远等特点。量程30dB~120dB,满足日常测量需求,可用于家庭、办公、车间、汽车测量、工业测量等各种领域。

从世界卫生组织发布的报告可看出,噪音污染已经成为仅次于空气污染之后威胁公民健康的隐患,这比此前想象的情形更为严重。随着城市规划的失衡很多城市噪音污染仍然无法得到很好的控制,但相信在科技力量帮助下可以让噪音的危害降得越来越低。返回搜狐,查看更多

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传感器的噪声:噪声传感器  第3张

传感器的噪声:图像传感器基础知识-噪声Sensor nosie

1. 引子
我们经常会听到“噪点”这个名字,用来形容拍出来的相片放大后看有突兀的聚集点,成像质量很差。本文将会由总到细,以固定模式噪声(fixed-pattern noise,FPN)和暂态噪音(temporal noise,TN)为切入点来介绍Sensor nose的类别和产生原因。内容较多,可以当做字典搜索查看。
2. 图像传感器中的噪声 - Noise in Image Sensors
下图1总结了噪声成分。Sensor中的噪声可以视为会影响信号采集和图像质量的信号波动。噪声与图像质量(image quality,IQ)息息相关,同时也决定了传感器的灵敏度。
图1 图像传感器中的噪声
这里介绍下FPN,其为出现在图像中固定位置的噪声。用于拍摄静态图像的图像传感器会重新生成二维图像(空间)信息。因为在空间上是固定的,所以黑暗情况下的固定模式噪声原则上可以通过信号处理消除。随时间变化的噪声被称为 "随机"(random)或者TN。当所指的是随时间变化的噪声时一般使用"暂态"这一 称谓, 因为"随机"也可以与FPN联系起来。例如,"像素随机"(pixel-random)FPN在二维空间上看来就是随机的。
当使用数码相机拍摄照片时, TN被“冻结”为空间噪声。尽管暂态噪声在单独的一次拍照中于空间上是固定的, 但它在连续拍照时出现的位置会产生变化。没发现这种变化可能是视频图像中的TN或多或少经过了人眼的滤波,然后人眼无法在短时间(1/60s)或者一帧的时间(1/30s)内做出准确的响应。
图1中也展示了在黑暗和光照条件下的噪声。在光照下,黑暗时的噪声成分依然存在。黑暗和光照下FPN的大小分别称为暗信号非均匀性( dark signal non uniformity,DSNU)和光响应非均匀性(photo response non uniformity, PRNU)。拖尾和高光溢出出现在光照条件高于饱和的情况下。
3. 固定模式噪声 - Fixed Pattern Noise
暗环境下的FPN可视为输出信号中有偏移量变化,可用DSNU来衡量。FPN在低光照情况下也很常见,此时用PRNU评估。如果FPN的大小与曝光量成比例,则把它看做灵敏度的非一致性(sensitivity nonuniformity)或者增益波动(gain variation)。
CCD 图像传感器中的固定模式噪声主要来源是暗电流的不均匀性(dark current nonuniformity)。尽管这种噪声在通常的工作模式下几乎观察不到,但在长曝光时间或者在高温下拍摄的图像则可以观测到。如果在整个像素阵列中,各个像素的暗电流不同,那么就会造成FPN,因为相关双采样(CDS)并不能消除这种噪声成分。在 CMOS 图像传感器中,固定模式噪声的主要来源是暗电流的不同以及像素中有缘晶体管(active transistor)的性能波动。
3.1 暗电流 - Dark Current
暗电流是在目标物体无光照的条件下观测到的电流,是一种非理想因素,暗电流会积分成为暗电荷并存储在像素内的电荷储存节点。暗电荷的数量与积分时间成正比,同时也和温度有关系,由下式表示 :

因为满阱容量(full well capacity)是有限的, 暗电荷的存在减少了成像器的可用动态范(dynamic range, DR)。它同时也改变了“暗”(无光照)环境的输出电压,导致输出不为0。因此, 在还原图象时应该尽量考虑暗电流水平。图2说明了暗电流的 3 个主要成分, 分别是Ⅰ. 耗尽层中产生的电流、Ⅱ. 中性体区扩散电流、Ⅲ. Si表面产生的电流。
图2 像素中的暗电流成分
3.1.1 耗尽层中产生的电流 - Generation Current in the Depletion Region
这一节是很难读懂的,需要有模电基础。
硅是间接带隙的半导体(indirect-band-gap semiconductor),其特点是导带(conduction band)底部和价带(valence band)顶部并不在势能空间(energy-momentum space)中相同的势轴(momentum axis)上。主要的产生-复合过程(generation-recombination process)是在禁带能量间隙(forbidden energy gap)中通过局部能量状态的间接迁跃发生的。耗尽层(depletion region)形成在反偏 p-n 结(reverse-biased p–n junction)接触面附近,少数载流子(carriers)被耗尽,因而参数产生过程generation processes (electron and hole emissions电子和空穴分离)成为了使系统回到平衡的主导过程。在正偏二极管(forward-biased diode)中,少数载流子密度比平衡时高,因此复合过程(recombination processes)发生。在平衡状态下(零电压偏置),再生和复合过程平衡,维持关系 , 这里分别代表电子密度(electron density)、空穴密度(hole density)和本征载流子密度(intrinsic carrier density)。
根据 Shockley-Read-Hall 理论,电子-空穴对(electron–hole pair)在有偏置电压下的产生率可以表示为

=electron capture cross section,=hole capture cross section,=thermal velocity,=concentration of generation centers,=energy level of the center, =intrinsic Fermi level,=Boltzmann's constant, =absolute temperature
假如==,式2可化为

这个等式表明,仅在带隙中心附近的能级有助于产生率的增加。当 时,产生率达到最大值:当 远离 时, 产生率按指数衰减。那么产生寿命和产生电流由下式给出:

3.1.2 扩散电流 - Diffusion Current
在扩散区边缘,少数载流子密度比平衡时更低,通过扩散过程,它在中性体区接近平衡密度 。在这里,我们的关注的是 p 区少数载流子(电子)的行为。中性区域的少子连续性方程由下式给出:

式中和 分别表示扩散系数和少数载流子寿命。使用边界条件 (x=无穷 )= 以及 n(0)=0 解此方程 , 可得扩散电流 :
3.1.3 表面生成 - Surface Generation
表面晶格结构(lattice structure)的突然中断,会产生更多的能量态(energy states)和产生中心(generation centers)。表面产生电流与产生电流很类似,由下式表示:
这里 是表面产生速率。
3.1.4 总暗电流 - Total Dark Current
由之前的讨论,暗电流可以表示为

在这三个主要成分中,如果在室温下进行比较,会有 。然而,表面成分可以通过在 n 区表面制作一层反型层进行抑制。反型层通过与空穴复合的方式清除掉了电 子的中间能级, 这样就可以减少陷在中间能级的电子发射到导带的机会。在大多数 IT 和 FIT CCD 和 CMOS 图像传感器中,这种方案可以通过加人一个针位光电二极管实现。
3.1.5 与温度的关系 - Temperature Dependence
如式5, 式7和式8所示, 产生电流和表面产生电流与本征载流子浓度成比例,扩散电流则与 成比例。因为 所以暗电流与温度的关系可以表示为 这里 和 是系数。图3展示了典型的暗电流与温度之间的关系。在实际器件 中,总暗电流与温度的关系也会发生变化,这种变化取决于系数和 的大小。暗电流与温度的关系也表现为 , 这里的 n 在 1 ~ 2 之间 , 对应暗电流的激活能量。
图3 暗电流与温度的关系
3.1.6. 白点缺陷
随着设计和工艺技术的进步,暗电流已经降低到非常低的水平。因此,拥有额外产生中心的像素就会产生极高的暗电流,这在图像中表现为白点缺陷,这些缺陷决定了图像传感器的质量。引起白点缺陷的原因包括重金属污染,例如金、镍、钴等,或者由制造过程中的重压引起的晶体缺陷。
3.1.7 CCD 寄存器的暗电流 - Dark Current from CCD Registers
到目前为止,我们一直在关注像素内部产生的暗电流,然而暗电流也会产生于CCD图像传感器中的CCD转移通道之中。将负电压短暂地加在适当的CCD棚极上,可以减少表面的暗电流,这种技术被称为“价带针位(valence band pinning)”;负电压将表面反型一小段时间,产生一个空穴层。价带针位会清空表面的产生中心,之后这些中心需要一段时间来重新产生。
3.1.8. CMOS 图像传感器有源像素中晶体管的暗电流 - Dark Current from a Transistor in an Active Pixel of a CMOS Image Sensor
在 CMOS 图像传感器中,像素内部的有源晶体管会产生额外的暗电流成分,这是由放大器晶体管漏极末端(drain end)附近的高场强区域(high electric field region)的热载流子效应(hot-carrier effects)引起的。为了抑制这种暗电流成分,需要进行仔细地设计像素layout,选择合适的晶体管长度和偏置电压。
3.2 阴影 - Shading
阴影是一种在还原的图像中可见的、变化缓慢的或者空间频率输出变化很小的现象。在 CCD/CMOS 图像传感器中,阴影的主要来源包括:
源于暗电流的阴影:如果有一个局部热源存在,它导致的温度分布会使得成像阵列的暗电流产生梯度变化。源于微型透镜的阴影:对于在成像阵列边缘的微型透镜,如果它的光收集效率因为光线倾斜角而减小,则位于边缘的像素的输出值会变小。源于电路的阴影:在 CCD 图像传感器中,由于驱动脉冲所输人的多晶硅棚的电阻不同,V-CCD 的输人脉冲幅值可能随空间位置变化,这可能导致局部电荷转移效率的下降,从而导致阴影的发生。在CMOS图像传感器中,偏置电压和接地电压的非一致性也会导致阴影。4 暂态噪声 - Temporal Noise
暂态噪声是信号随着时间变化的随机起伏。当信号的起伏以它的平均值为中心时,假设平均值恒定, 则方差定义为 这里<>表示统计平均值(ensemble average)或者静态平均值(statistical average), 意指在 t 时刻,一组样本的平均值。当系统是“遍历的(ergodic)”或者静态的(stationary,),一个样本在时间上的平均值可以认为是与统计平均值相等的。
信号的方差对应着信号的总噪声功率。当存在若干不相关的噪声源时,总噪声功率由下式决定:
由中心极限定理可知,随着随机变量的数量无限增加,独立随机变量之和的概率分布趋于高斯分布。高斯分布由下式给出:
这里 m 是变量 x 的平均值 , 是变量 x 的标准差或者均方根值( rms )。此时, 标准差 可以用以衡量暂态噪声。
在光学和电学系统中,存在着 3 种基本的暂态噪声:热噪声(thermal noise), 散粒噪声(shot noise)、闪燥噪声(flicker noise)。这些噪声在 CCD 和 CMOS 图像传感器中都可以观察到。
4. 1 热噪声 - Thermal Noise
热噪声起源于电阻中电子的热运动,它也被称为约翰逊噪声(Johnson noise),因为这种噪声是 J. B. Johnson 在 1928 年发现的。奈奎斯特(Nyquist)在同一年用热力学推论描述了噪声电压的数学模型。热噪声的功率谱密度用电压表示如下:

式中 k 是玻耳兹曼常数(Boltzmann's constant), T 是绝对温度(absolute temperature), R 是电阻(resistance)。
4.2 散粒噪声 - Shot Noise
散粒噪声在电流流过势垒(potential barrier)时产生, 这种噪声可以在电子管和半导体器件中观测到,例如 PN 结. 双极晶体管、MOS 管的亚阈值电流。在 CCD 和 CMOS 图像传感器中 , 散粒噪声与入射光子和暗电流有关。对散粒噪声统计特性的研究显示,N 粒子(例如光子和电子)在一 定的时间间隔内发射的概率服从泊松分布,可表示为
式中 和 分别表示粒子数量和平均值。泊松分布有一个有趣的性质,它的方差等于平均值 :
热噪声和散粒噪声的功率谱密度在所有的频率上都恒定,而与之相似的,白光在光学波段的功率分布曲线也呈平坦化,这种噪声被称为“白噪声”。
4.3 噪声 - Noise
1/ f 噪声的功率谱密度与 成比例,这里 的值在 1 附近,显而易见,1/f 噪声关于 时间的平均值可能不是常量。CCD 图像传感器的输出放大器和 CMOS 图像传感器中的像素在低频段都受 1/ f 噪声的影响。然而,1/ f 噪声大部分被相关双采样(correlated double sampling, CDS)所抑制,只要两次采样之间的间隔足够短,可以认为 1/ f 噪声是失调。
4.4 图像传感器中的暂态噪声 - Temporal Noise in Image Sensors
4.4.1 - 复位噪声或者kTC噪声 - Reset Noise or kTC Noise
当浮置扩散电容被复位时,电容节点产生“复位噪声”, 亦可称为“kTC 噪声”。它出现在 MOS 开关关断时刻,是来源于 MOS 开关的热噪声。图4展示了复位操作的等效电路。
图4 kTC噪音
在导通状态的 MOS 管可以认为是个电阻, 这样就产生了热噪声,如式15所示。这个噪声被电容采样和保持。噪声功率可以通过将热噪声在所有频率积分获得, 将式15中的 R 用 RC 低通滤波器复数阻抗(complex impedance)的实部代替,如下所示:
噪声电荷由下式给出:

由上式可知,噪声函数只与温度、电容值有关, 因此称为 kTC 噪声。在 CCD 图像传感器中 ,浮置扩散放大器中出现的 kTC 噪声可以通过 CDS 电路抑制。在 CMOS 图像传感器中, kTC 噪声出现在电荷检测节点的复位阶段。在 CCD 和 CMOS 图 像传感器中,要根据像素的结构采用不同的方法来抑制 kTC 噪声。
4.4.2 读出噪声
读出噪声, 或称为noise floor,其定义是读出电路产生的噪声,它不包括探测器中产生的噪声。在 CCD 图像传感器中,假设 CCD 移位寄存器能够实现完全的电荷转移, 那么noise floor由输出放大器产生的噪声决定。在 CMOS 图像传感器中,noise floor由读出电路(包括像素内部的放大器)决定。 在图 5 所示的 MOS 管噪声模型中, 两个噪声(热噪声和 1/ f 噪声)等效电压串联在棚极上。
图5 MOS管中的噪声
热噪声由下式给出:
式中, 是 MOS 管的跨导(transconductance), 是一个与 MOS 晶体管工作模式相关的系数。对于长沟道晶体管(long-channel transistors), 的值等于2/3 ; 对亚微米晶体管, 这个值要更大一些。
1/ f 噪声表达式如下:
式子中是与工艺相关的常数, 代表单位面积的珊电容, 、 分别是珊的宽和长。
根据放大器类型的不同,图像传感器中的本底噪声可以用式20或式21估计。 如典图像传感器有额外的电路(如在 CMOS 图像传感器中常见的增益放大器和固定模式噪声抑制电路, 那么这些电路产生的噪声也需要计入总噪声中(使用式13)。如出前文提到的 kTC 噪声不能被 CDS 过程抑制, 那么这个噪声也需要加进读出噪声中。
4.4.3 暗电流散粒噪声和光子散粒噪声 - Dark Current Shot Noise and Photon Shot Noise
参考式17,暗电流散粒噪声和光子散粒噪声由下式给出:

式中, 是式1中的暗电荷的平均值, 是电荷信号的数量。
参考式13 , 光照下的总散粒噪声由下式给出

4.5 输入参考噪声和输出参考噪声 - Input Referred Noise and Output Referred Noise
显而易见,前文讨论的是在电荷探测节点产生的“输入参考”噪声。输人参考噪声被包含在测量得到的“输出参考”噪声中,因此有

式中 , 和 分别是像素中产生的噪声和信号链中所产生的噪声。
5 拖尾和高光溢出 - Smear and Blooming
这些现象发生在高强光照射传感器时。拖尾表现为白色坚条纹, 通常发生在漫射光进入 V-CDD 寄存器时或者体硅深处产生的电荷扩散进 V-CCD 时。高光溢出在光生电荷超出像素的满阱容量时发生,溢出电荷会进人相邻的像素或 V-CCD 中。为了抑制高光溢出,像素中应当加入溢出漏极。图六为拖尾的例子。
图6 拖尾图像和改进图像 a.由拖影造成的伪图像 b. 采用p阱结构后改进的图像
6 图像拖影 - Image Lag
图像拖影是一种在光强突然改变后,残余的图像仍然出现在接下来的数齿中的现象。在 IT-CCD 中,如果从光电二极管到 V-CCD 的电荷转移没有完成,就会产生这种拖影现象。在四管像素的 CMOS 图像传感器中, 如果从光电二极管到浮置扩散区的电荷转移没有完成,就可能导致这种现象。在三管像素的 CMOS 图像传感器中,它的起源是软复位模式,此时光电二极管的复位在 MOS 管的亚阈值模式下进行。
参考文献
《数码相机中的图像传感器和信号处理》图像传感器基础知识

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